Одиночные MOSFET транзисторы

₈₇₃

Корпус: TO220F

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3357)
Chassis Mount (8)
Through Hole (1863)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (873)

IRF730APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 5.5A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

400В

Ток стока макс.:

5.5A

Сопротивление открытого канала:

1 Ом

Мощность макс.:

74Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

600пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF740LCPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 10A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

400В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

550 мОм

Мощность макс.:

125Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

39нКл

Входная емкость:

1100пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF820APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 2.5A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

2.5A

Сопротивление открытого канала:

3 Ом

Мощность макс.:

50Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

340пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRF840LCPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 8A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

850 мОм

Мощность макс.:

125Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

39нКл

Входная емкость:

1100пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF9540 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 19A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Сообщить о поступлении

IRF9Z20PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 50В 9.7A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

50В

Ток стока макс.:

9.7A

Сопротивление открытого канала:

280 мОм

Мощность макс.:

40Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

26нКл

Входная емкость:

480пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF9Z30PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 50В 18A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

50В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

140 мОм

Мощность макс.:

74Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

39нКл

Входная емкость:

900пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFB260N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 56A

Производитель:

UMW Youtai Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Сообщить о поступлении

IRFB3006GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 195A TO220AB

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

195A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

2.5 мОм @ 170А, 10В

Мощность макс.:

375Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 250 µA

Заряд затвора:

300нКл @ 10В

Входная емкость:

8970пФ @ 50В

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFB3206GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A TO220AB

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

120A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

3 мОм @ 75А, 10В

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 150 µA

Заряд затвора:

170нКл @ 10В

Входная емкость:

6540пФ @ 50В

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFB3207PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 180A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

75В

Ток стока макс.:

170A

Сопротивление открытого канала:

4.5 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

260нКл

Входная емкость:

7600пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFB3306GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 160A TO-220AB

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

120A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

4.2 мОм @ 75А, 10В

Мощность макс.:

230Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 150 µA

Заряд затвора:

120нКл @ 10В

Входная емкость:

4520пФ @ 50В

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFB3307PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 130A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

75В

Ток стока макс.:

130A

Сопротивление открытого канала:

6.3 мОм

Мощность макс.:

250Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

180нКл

Входная емкость:

5150пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFB4110GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 120A TO220AB

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

120A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

4.5 мОм @ 75А, 10В

Мощность макс.:

370Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 250 µA

Заряд затвора:

210нКл @ 10В

Входная емкость:

9620пФ @ 50В

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFB4212PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 18A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

72.5 мОм

Мощность макс.:

60Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

23нКл

Входная емкость:

550пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFB4615PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 35A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

35A

Сопротивление открытого канала:

39 мОм

Мощность макс.:

144Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

26нКл

Входная емкость:

1750пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFB59N10DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 59A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

59A

Сопротивление открытого канала:

25 мОм

Мощность макс.:

3.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5.5В

Заряд затвора:

114нКл

Входная емкость:

2450пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFB7440GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120A TO220AB

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

120A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

2.5 мОм @ 100А, 10В

Мощность макс.:

208Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

3.9В @ 100 µA

Заряд затвора:

135нКл @ 10В

Входная емкость:

4730пФ @ 25В

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFB7546PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 75A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

75A

Сопротивление открытого канала:

7.3 мОм

Мощность макс.:

99Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.7В

Заряд затвора:

87нКл

Входная емкость:

3000пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFB7740PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 87A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

75В

Ток стока макс.:

87A

Сопротивление открытого канала:

7.3 мОм

Мощность макс.:

143Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.7В

Заряд затвора:

122нКл

Входная емкость:

4650пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.69252 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"