Одиночные MOSFET транзисторы

₈₇₃

Корпус: TO220F

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3357)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (873)

IRFZ48RPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

50A

Сопротивление открытого канала:

18 мОм

Мощность макс.:

190Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

110нКл

Входная емкость:

2400пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFZ48VPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 72А 190Вт, 0.018 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

72A

Сопротивление открытого канала:

12 мОм

Мощность макс.:

150Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

110нКл

Входная емкость:

1985пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRG4BC20SPBF Транзистор биполярный IGBT 600В 19A 60Вт TO220AB

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

19А

Мощность макс.:

60Вт

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRL3705ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

75A

Сопротивление открытого канала:

8 мОм

Мощность макс.:

130Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

60нКл

Входная емкость:

2880пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRL3713PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 260А 330Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

260A

Сопротивление открытого канала:

3 мОм

Мощность макс.:

330Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

110нКл

Входная емкость:

5890пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRL520PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 9.2A,

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

9.2A

Сопротивление открытого канала:

270 мОм

Мощность макс.:

60Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

490пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRL540N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB туба

Производитель:

UMW Youtai Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Сообщить о поступлении

IRL8113PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 105A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

105A

Сопротивление открытого канала:

6 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.25В

Заряд затвора:

35нКл

Входная емкость:

2840пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRLI2910PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 31А, 48Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220F

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

31A

Сопротивление открытого канала:

26 мОм

Мощность макс.:

63Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

140нКл

Входная емкость:

3700пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRLI530NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 12A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB Full-Pak

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

100 мОм

Мощность макс.:

41Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

34нКл

Входная емкость:

800пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRLI540G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 20А 42Вт 0.044 Ом

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220F

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

17A

Сопротивление открытого канала:

77 мОм

Мощность макс.:

48Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

64нКл

Входная емкость:

2200пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRLI540NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 20А 42Вт, 0.044 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220F

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

23A

Сопротивление открытого канала:

44 мОм

Мощность макс.:

54Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

74нКл

Входная емкость:

1800пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRLZ24PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 17A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

17A

Сопротивление открытого канала:

100 мОм

Мощность макс.:

60Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

18нКл

Входная емкость:

870пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IXTP10P50P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 500В 10A TO-220

Производитель:

Littelfuse

Корпус:

TO-220AB

Сообщить о поступлении

IXTP26P20P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 26А 300Вт

Производитель:

Littelfuse

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

26A

Сопротивление открытого канала:

170 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

56нКл

Входная емкость:

2740пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IXTP96P085T Транзистор полевой MOSFET P-канальный 85В 96А 298Вт

Производитель:

Littelfuse

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

85В

Ток стока макс.:

96A

Сопротивление открытого канала:

13 мОм

Мощность макс.:

298Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

180нКл

Входная емкость:

13100пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

JCS10N60FT Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 9.5А 50Вт

Производитель:

Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd

Корпус:

TO-220F

Сообщить о поступлении

JMH65R190ACFP-U Транзистор полевой MOSFET силовой 650В 20A 170мОм

Производитель:

Jiangsu JieJie Microelectronics Co., Ltd.

Корпус:

TO-220FP

Сообщить о поступлении

M12N70F Транзистор полевой N-канальный 700В 12А 40Вт

Производитель:

Noname

Корпус:

TO-220F

Сообщить о поступлении

MMF60R580P Транзистор полевой N-канальный 600В 8А 26Вт

Производитель:

Magna Chip

Корпус:

TO-220F

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.69252 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"