Одиночные MOSFET транзисторы

873
Корпус: TO220F
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (873)
Акция
MTP2P50EG MTP2P50EG Транзистор полевой MOSFET P-канальный 500В 2A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
2A
Сопротивление открытого канала:
6 Ом
Мощность макс.:
75Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
27нКл
Входная емкость:
1183пФ
Тип монтажа:
Through Hole
MTP3055VL MTP3055VL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 12A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
570пФ
Тип монтажа:
Through Hole
NCEP02525F NCEP02525F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В
Производитель:
Wuxi NCE Power Co
Корпус:
TO-220F
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
2 000 шт
Цена от:
от 37,99
NDF06N60ZG NDF06N60ZG Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 7.1A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
7.1A
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
35Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
47нКл
Входная емкость:
1107пФ
Тип монтажа:
Through Hole
NDF10N60ZH NDF10N60ZH Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 10 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
600V
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
750 mOhm
Мощность макс.:
39W
Тип транзистора:
N-Channel
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5V
Заряд затвора:
68nC
Входная емкость:
1645pF
Тип монтажа:
Through Hole
NDP6060 NDP6060 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 48A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
48A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
100Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
70нКл
Входная емкость:
1800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
NDP6060L NDP6060L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 48A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
48A
Сопротивление открытого канала:
20 мОм
Мощность макс.:
100Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
2000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
NDP7060 NDP7060 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 75A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
13 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
115нКл
Входная емкость:
3600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
PHP18NQ10T,127 PHP18NQ10T,127 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 18A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
90 мОм
Мощность макс.:
79Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
21нКл
Входная емкость:
633пФ
Тип монтажа:
Through Hole
PHP20N06T,127 PHP20N06T,127 Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 20.3 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
TO-220AB
PHP20NQ20T,127 PHP20NQ20T,127 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 20A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
TO-220AB
PHP45NQ10T,127 PHP45NQ10T,127 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 47A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
47A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
61нКл
Входная емкость:
2600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
PSMN009-100P,127 PSMN009-100P,127 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 75A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
8.8 мОм
Мощность макс.:
230Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
156нКл
Входная емкость:
8250пФ
Тип монтажа:
Through Hole
PSMN015-100P,127 PSMN015-100P,127 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 75A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
15 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
90нКл
Входная емкость:
4900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
PSMN015-60PS,127 PSMN015-60PS,127 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
14.8 мОм
Мощность макс.:
86Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
20.9нКл
Входная емкость:
1220пФ
Тип монтажа:
Through Hole
PSMN027-100PS,127 PSMN027-100PS,127 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
37A
Сопротивление открытого канала:
26.8 мОм
Мощность макс.:
103Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
1624пФ
Тип монтажа:
Through Hole
PSMN034-100PS,127 PSMN034-100PS,127 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
32A
Сопротивление открытого канала:
34.5 мОм
Мощность макс.:
86Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
23.8нКл
Входная емкость:
1201пФ
Тип монтажа:
Through Hole
PSMN1R1-30PL,127 PSMN1R1-30PL,127 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB лента
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
1.3 мОм
Мощность макс.:
338Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
243нКл
Входная емкость:
14850пФ
Тип монтажа:
Through Hole
PSMN1R8-30PL,127 PSMN1R8-30PL,127 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
1.8 мОм
Мощность макс.:
270Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.15В
Заряд затвора:
170нКл
Входная емкость:
10180пФ
Тип монтажа:
Through Hole
PSMN2R0-30PL,127 PSMN2R0-30PL,127 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 100A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
2.1 мОм
Мощность макс.:
211Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.15В
Заряд затвора:
117нКл
Входная емкость:
6810пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.69252 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"