Одиночные MOSFET транзисторы

873
Корпус: TO220F
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (873)
PSMN3R5-80PS,127 PSMN3R5-80PS,127 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 120A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
3.5 мОм
Мощность макс.:
338Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
139нКл
Входная емкость:
9961пФ
Тип монтажа:
Through Hole
PSMN4R4-80PS,127 PSMN4R4-80PS,127 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 100A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
4.1 мОм
Мощность макс.:
306Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
125нКл
Входная емкость:
8400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
PSMN4R5-40PS,127 PSMN4R5-40PS,127 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 100A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
4.6 мОм
Мощность макс.:
148Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
42.3нКл
Входная емкость:
2683пФ
Тип монтажа:
Through Hole
PSMN8R0-40PS,127 PSMN8R0-40PS,127 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 77A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
TO-220AB
RFP12N10L RFP12N10L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 12A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
60Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Входная емкость:
900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
SFS9630 SFS9630 Полевой транзистор, P-канальный, 200 В, 4.4 А, 35 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
SIHF12N60E-GE3 SIHF12N60E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 12A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220 Full Pack
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
33Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
58нКл
Входная емкость:
937пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SIHF12N65E-GE3 SIHF12N65E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 12A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220 Full Pack
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
33Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
70нКл
Входная емкость:
1224пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SIHF15N60E-GE3 SIHF15N60E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 15A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220 Full Pack
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
280 мОм
Мощность макс.:
34Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
78нКл
Входная емкость:
1350пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SIHF22N60E-GE3 SIHF22N60E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 21A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220 Full Pack
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
21A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
35Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
86нКл
Входная емкость:
1920пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SIHF30N60E-GE3 SIHF30N60E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 29A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220 Full Pack
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
29A
Сопротивление открытого канала:
125 мОм
Мощность макс.:
37Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
130нКл
Входная емкость:
2600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SIHF5N50D-E3 SIHF5N50D-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 5.3A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220 Full Pack
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
5.3A
Сопротивление открытого канала:
1.5 Ом
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
325пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SIHF8N50D-E3 SIHF8N50D-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 8.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220 Full Pack
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
8.7A
Сопротивление открытого канала:
850 мОм
Мощность макс.:
33Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
527пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SIHP12N60E-GE3 SIHP12N60E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 12A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
147Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
58нКл
Входная емкость:
937пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SIHP14N50D-GE3 SIHP14N50D-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 14A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
400 мОм
Мощность макс.:
208Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
58нКл
Входная емкость:
1144пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SIHP15N60E-GE3 SIHP15N60E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 15A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
280 мОм
Мощность макс.:
180Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
78нКл
Входная емкость:
1350пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SIHP18N50C-E3 SIHP18N50C-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 18A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
270 мОм
Мощность макс.:
223Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
76нКл
Входная емкость:
2942пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SIHP22N60E-GE3 SIHP22N60E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 21A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
21A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
227Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
86нКл
Входная емкость:
1920пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SIHP24N65E-GE3 SIHP24N65E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 24A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
24A
Сопротивление открытого канала:
145 мОм
Мощность макс.:
250Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
122нКл
Входная емкость:
2740пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SIHP30N60E-GE3 SIHP30N60E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 29A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
29A
Сопротивление открытого канала:
125 мОм
Мощность макс.:
250Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
130нКл
Входная емкость:
2600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.69252 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"