Одиночные MOSFET транзисторы

₈₇₃

Корпус: TO220F

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Chassis Mount (8)
Through Hole (1863)
Surface Mount (3357)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (873)

SIHP5N50D-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 5.3A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

5.3A

Сопротивление открытого канала:

1.5 Ом

Мощность макс.:

104Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

325пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

SIHP7N60E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 7A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

600 мОм

Мощность макс.:

78Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

40нКл

Входная емкость:

680пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

SPA04N60C3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 4.5А 31Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220FP

Напряжение сток-исток макс.:

650В

Ток стока макс.:

4.5A

Сопротивление открытого канала:

950 мОм

Мощность макс.:

31Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.9В

Заряд затвора:

25нКл

Входная емкость:

490пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

SPA04N60C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 4.5А 31Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220FP

Напряжение сток-исток макс.:

650В

Ток стока макс.:

4.5A

Мощность макс.:

31Вт

Тип транзистора:

N-канал

Сообщить о поступлении

SPA06N80C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 6A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO220-FP

Напряжение сток-исток макс.:

800В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

900 мОм

Мощность макс.:

39Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.9В

Заряд затвора:

41нКл

Входная емкость:

785пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

SPA08N80C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 8A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO220-FP

Напряжение сток-исток макс.:

800В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

650 мОм

Мощность макс.:

40Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.9В

Заряд затвора:

60нКл

Входная емкость:

1100пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

SPA15N60CFDXKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 330мОм 63нКл TO-220-3FP

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220F

Сообщить о поступлении

SPA16N50C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 560В 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220FP

Напряжение сток-исток макс.:

560В

Ток стока макс.:

16A

Тип транзистора:

N-канал

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

SPP04N50C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB туба

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

4.5A

Тип транзистора:

N-канал

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

SPP04N60C3-VB MOSFETs N-Channel 650V 4A 2.2Ohm

Производитель:

VBsemi Semiconductor (Taiwan) Co., Ltd.

Корпус:

TO-220AB

Сообщить о поступлении

SPP04N60C3-VB Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 4.5A

Производитель:

VBsemi Semiconductor (Taiwan) Co., Ltd.

Корпус:

TO-220AB

Сообщить о поступлении

SPP12N50C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 11.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB туба

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

560В

Ток стока макс.:

11.6A

Сопротивление открытого канала:

380 мОм

Мощность макс.:

125Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.9В

Заряд затвора:

49нКл

Входная емкость:

1200пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STF10N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220FP

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

7.5A

Сопротивление открытого канала:

600 мОм

Мощность макс.:

25Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

13.5нКл

Входная емкость:

400пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STF10N62K3 Полевой транзистор, N-канальный, 620 В, 8.4 А

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220FP

Сообщить о поступлении

STF10N65K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 10A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220FP

Напряжение сток-исток макс.:

650В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

1 Ом

Мощность макс.:

35Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

42нКл

Входная емкость:

1180пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Новинка

STF10N95K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 950В 8A TO-220FP

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220FP

Напряжение сток-исток макс.:

950В

Ток стока макс.:

8A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

800 мОм @ 4А, 10В

Мощность макс.:

30Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

5В @ 100 µA

Заряд затвора:

22нКл @ 10В

Входная емкость:

630пФ @ 100В

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STF110N10F7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220FP

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

45A

Сопротивление открытого канала:

7 мОм

Мощность макс.:

30Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

72нКл

Входная емкость:

5117пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STF11N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 9A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220FP

Напряжение сток-исток макс.:

650В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

480 мОм

Мощность макс.:

25Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

644пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STF11NM50N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 8.5A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220FP

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

8.5A

Сопротивление открытого канала:

470 мОм

Мощность макс.:

25Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

19нКл

Входная емкость:

547пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STF11NM60ND Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 10A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220FP

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

450 мОм

Мощность макс.:

25Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

30нКл

Входная емкость:

850пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.69252 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"