Одиночные MOSFET транзисторы

873
Корпус: TO220F
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (873)
STF20N95K5 STF20N95K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 950В 17.5A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
950В
Ток стока макс.:
17.5A
Сопротивление открытого канала:
330 мОм
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1500пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STF20NF20 STF20NF20 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
125 мОм
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
39нКл
Входная емкость:
940пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STF20NM60D STF20NM60D Полевой транзистор, N-канальный, 600В 20А 45Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220F
STF21N90K5 STF21N90K5 MOSFET N-CH 900V 18.5A TO-220FP
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
900V
Ток стока макс.:
18.5A (Tc)
Сопротивление открытого канала:
299 mOhm @ 9A, 10V
Мощность макс.:
40W
Тип транзистора:
MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5V @ 100 µA
Заряд затвора:
43nC @ 10V
Входная емкость:
1645pF @ 100V
Тип монтажа:
Through Hole
STF22NM60N STF22NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 16A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
220 мОм
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
44нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
STF23NM50N STF23NM50N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 550В 17А 30Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
1330пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
STF23NM60ND STF23NM60ND Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 19А 0.15 Ом
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
19.5A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
35Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
70нКл
Входная емкость:
2050пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STF24N60M2 STF24N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 18A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
1060пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STF24NM60N STF24NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 17A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
STF25N80K5 STF25N80K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 19.5A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
19.5A
Сопротивление открытого канала:
260 мОм
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STF25NM60ND STF25NM60ND Транзистор полевой N-канальный 600В 21A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
STF26NM60N STF26NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 20A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
STF2HNK60Z STF2HNK60Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
2A
Сопротивление открытого канала:
4.8 Ом
Мощность макс.:
20Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
280пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STF2N80K5 STF2N80K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 2A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
2A
Сопротивление открытого канала:
4.5 Ом
Мощность макс.:
25Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
3нКл
Входная емкость:
95пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STF2N95K5 STF2N95K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 950В 2A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
950В
Ток стока макс.:
2A
Сопротивление открытого канала:
5 Ом
Мощность макс.:
20Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
105пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STF30N10F7 STF30N10F7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 35A TO-220FP
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
24A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
24 мОм @ 16А, 10В
Мощность макс.:
25Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В @ 250 µA
Заряд затвора:
19нКл @ 10В
Входная емкость:
1270пФ @ 50В
Тип монтажа:
Through Hole
STF33N60M2 STF33N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 26A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
26A
Сопротивление открытого канала:
125 мОм
Мощность макс.:
35Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45.5нКл
Входная емкость:
1781пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STF34N65M5 STF34N65M5 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 29 А, 30Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
650V
Ток стока макс.:
28A
Сопротивление открытого канала:
110 mOhm
Мощность макс.:
30W
Тип транзистора:
N-Channel
Пороговое напряжение включения макс.:
5V
Заряд затвора:
70nC
Входная емкость:
2590pF
Тип монтажа:
Through Hole
STF34NM60ND STF34NM60ND Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 29A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
29A
Сопротивление открытого канала:
110 мОм
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
80.4нКл
Входная емкость:
2785пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STF36N60M6 STF36N60M6 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 30A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
30А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.69252 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"