Одиночные MOSFET транзисторы

873
Корпус: TO220F
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (873)
STP80NF55-06 STP80NF55-06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 80A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
6.5 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
189нКл
Входная емкость:
4400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP80NF55-06FP STP80NF55-06FP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 60A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
60A
Сопротивление открытого канала:
6.5 мОм
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
189нКл
Входная емкость:
4400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP80NF55L-06 STP80NF55L-06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 80A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
6.5 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
136нКл
Входная емкость:
4850пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP8NM50N STP8NM50N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 5A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
790 мОм
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
364пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP95N4F3 STP95N4F3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 80A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
6.2 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
54нКл
Входная емкость:
2200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP9NK70Z STP9NK70Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 700В 7.5A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
700В
Ток стока макс.:
7.5A
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
115Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
68нКл
Входная емкость:
1370пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP9NK70ZFP STP9NK70ZFP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 700В 7.5A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
700В
Ток стока макс.:
7.5A
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
35Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
68нКл
Входная емкость:
1370пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP9NM60N STP9NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6.5A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
6.5A
Сопротивление открытого канала:
745 мОм
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
17.4нКл
Входная емкость:
452пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SUP40N25-60-E3 SUP40N25-60-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 40A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
3.75Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
140нКл
Входная емкость:
5000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SUP53P06-20-E3 SUP53P06-20-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 9.2A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
9.2A
Сопротивление открытого канала:
19.5 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
115нКл
Входная емкость:
3500пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SUP57N20-33-E3 SUP57N20-33-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 57A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
57A
Сопротивление открытого канала:
33 мОм
Мощность макс.:
3.75Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
130нКл
Входная емкость:
5100пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SUP85N10-10-E3 SUP85N10-10-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 85A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
85A
Сопротивление открытого канала:
10.5 мОм
Мощность макс.:
3.75Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
160нКл
Входная емкость:
6550пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SUP90N06-6M0P-E3 SUP90N06-6M0P-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 90A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
90A
Сопротивление открытого канала:
6 мОм
Мощность макс.:
3.75Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
120нКл
Входная емкость:
4700пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SUP90P06-09L-E3 SUP90P06-09L-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 90A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
90A
Сопротивление открытого канала:
9.3 мОм
Мощность макс.:
2.4Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
240нКл
Входная емкость:
9200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
TK100A06N1,S4X(S TK100A06N1,S4X(S Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 263A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
263A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Through Hole
TK100A10N1,S4X(S TK100A10N1,S4X(S Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 207A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
207A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Through Hole
TK16A60W5,S4VX(M TK16A60W5,S4VX(M Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
5.8A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Through Hole
TK20A60W,S5VX(M TK20A60W,S5VX(M Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
20A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Through Hole
TK30A06N1,S4X(S TK30A06N1,S4X(S Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
43A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
TK3A65DA TK3A65DA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 3АВт
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO-220F
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.69252 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"