Одиночные MOSFET транзисторы

364
Корпус: TO247
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (364)
G3R160MT12D G3R160MT12D Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1200В 19А 106Вт
Производитель:
GENESIC SEMICONDUCTOR
Корпус:
TO-247-3
GC044N60QF GC044N60QF Транзистор полевой N-канальный 600В 60A
Производитель:
GOFORD SEMICONDUCTOR CO.,LTD
Корпус:
TO-247
HUF75345G3 HUF75345G3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
7 мОм
Мощность макс.:
325Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
275нКл
Входная емкость:
4000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
HUF75639G3 HUF75639G3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 56A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
56A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
130нКл
Входная емкость:
2000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
HUF75652G3 HUF75652G3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 75A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
515Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
475нКл
Входная емкость:
7585пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IMW120R060M1H IMW120R060M1H Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1200В 36А 0.078Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247-3
IPW50R190CEFKSA1 IPW50R190CEFKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
8.5A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Through Hole
IPW60R041P6FKSA1 IPW60R041P6FKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 77.5A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
7.5A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Through Hole
IPW60R075CPFKSA1 IPW60R075CPFKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 39A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
39A
Сопротивление открытого канала:
75 мОм
Мощность макс.:
313Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
116нКл
Входная емкость:
4000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IPW60R099CPFKSA1 IPW60R099CPFKSA1 Транзистор MOSFET N-канал 600В 31А [TO-247]
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
IPW60R125P6XKSA1 IPW60R125P6XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
30A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Through Hole
IPW65R037C6FKSA1 IPW65R037C6FKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 700В 83.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
700В
Ток стока макс.:
3.2A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Through Hole
IPW65R045C7FKSA1 IPW65R045C7FKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 46A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247-3
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
46A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
227Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
93нКл
Входная емкость:
4340пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IPW65R065C7XKSA1 IPW65R065C7XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
33A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Through Hole
IPW65R080CFDFKSA1 IPW65R080CFDFKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
3.3A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Through Hole
IPW65R095C7XKSA1 IPW65R095C7XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 24A TO247
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO247
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
24A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
95 мОм @ 11.8А, 10В
Мощность макс.:
128Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 590 µA
Заряд затвора:
45нКл @ 10В
Входная емкость:
2140пФ @ 400В
Тип монтажа:
Through Hole
IPW65R110CFDFKSA1 IPW65R110CFDFKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 31.2A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
31.2A
Сопротивление открытого канала:
110 мОм
Мощность макс.:
277.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
118нКл
Входная емкость:
3240пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IPW65R150CFDFKSA1 IPW65R150CFDFKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 22.4A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
2.4A
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Тип монтажа:
Through Hole
IPW65R190C7XKSA1 IPW65R190C7XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
13A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Through Hole
IPW65R190CFDFKSA1 IPW65R190CFDFKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 17.5A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
17.5A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
151Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
68нКл
Входная емкость:
1850пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.69252 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"