Одиночные MOSFET транзисторы

364
Корпус: TO247
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (364)
IPW65R190E6FKSA1 IPW65R190E6FKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 20,2A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
20.2A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
151Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
73нКл
Входная емкость:
1620пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IPW65R280E6FKSA1 IPW65R280E6FKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 700В 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
13.8A
Сопротивление открытого канала:
280 мОм
Мощность макс.:
104Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
950пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IPW65R420CFKSA1 IPW65R420CFKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 700В 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
700В
Ток стока макс.:
8.7A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Through Hole
IPW90R500C3FKSA1 IPW90R500C3FKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
900В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
500 мОм
Мощность макс.:
156Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
68нКл
Входная емкость:
1700пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IPZ60R040C7XKSA1 IPZ60R040C7XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
50А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
IPZ65R019C7XKSA1 IPZ65R019C7XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 700В 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
700В
Ток стока макс.:
75A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Through Hole
IPZ65R045C7XKSA1 IPZ65R045C7XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 46A TO247-4
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO247
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
46A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
45 мОм @ 24.9А, 10В
Мощность макс.:
227Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 1.25mA
Заряд затвора:
93нКл @ 10В
Входная емкость:
4340пФ @ 400В
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IPZ65R095C7XKSA1 IPZ65R095C7XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 24A 4-Pin(4+Tab) TO-247 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
24А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRF150P220AKMA1_ IRF150P220AKMA1_ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 203A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247-3
Акция
IRFP044NPBF IRFP044NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 53A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
53A
Сопротивление открытого канала:
20 мОм
Мощность макс.:
120Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
61нКл
Входная емкость:
1500пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRFP048NPBF IRFP048NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 64А, 130Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
64A
Сопротивление открытого канала:
16 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
89нКл
Входная емкость:
1900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFP048PBF IRFP048PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 70A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
70A
Сопротивление открытого канала:
18 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
2400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFP054PBF IRFP054PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 70A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
70A
Сопротивление открытого канала:
14 мОм
Мощность макс.:
230Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
160нКл
Входная емкость:
4500пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFP140PBF IRFP140PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 31A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247-3
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
31A
Сопротивление открытого канала:
77 мОм
Мощность макс.:
180Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
72нКл
Входная емкость:
1700пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFP150MPBF IRFP150MPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 42A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
42A
Сопротивление открытого канала:
36 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
1900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFP150PBF IRFP150PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 41A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247-3
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
41A
Сопротивление открытого канала:
55 мОм
Мощность макс.:
230Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
140нКл
Входная емкость:
2800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFP17N50LPBF IRFP17N50LPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 16A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247-3
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
320 мОм
Мощность макс.:
220Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
130нКл
Входная емкость:
2760пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFP21N60LPBF IRFP21N60LPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 21A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247-3
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
21A
Сопротивление открытого канала:
320 мОм
Мощность макс.:
330Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
150нКл
Входная емкость:
4000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFP22N60KPBF IRFP22N60KPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 22А 370Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
22A
Сопротивление открытого канала:
280 мОм
Мощность макс.:
370Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
150нКл
Входная емкость:
3570пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFP244PBF IRFP244PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 15A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247-3
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
280 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
63нКл
Входная емкость:
1400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.69252 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"