Одиночные MOSFET транзисторы

364
Корпус: TO247
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (364)
STW13N60M2 STW13N60M2 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 11 А
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
STW13NK100Z STW13NK100Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1KВ 13А 350Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
1000В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
700 мОм
Мощность макс.:
350Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
266нКл
Входная емкость:
6000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STW13NK60Z STW13NK60Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 13A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247-3
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
550 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
92нКл
Входная емкость:
2030пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STW15N80K5 STW15N80K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 14A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
375 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
32нКл
Входная емкость:
1100пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STW15N95K5 STW15N95K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 950В 12A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
950В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
500 мОм
Мощность макс.:
250Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
STW17N62K3 STW17N62K3 Полевой транзистор, N-канальный, 620 В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
STW18NM60N STW18NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 13A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247-3
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
285 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
1000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STW18NM80 STW18NM80 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 17А 190Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
295 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
70нКл
Входная емкость:
2070пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STW19NM50N STW19NM50N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 14A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
250 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
1000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STW20N95DK5 STW20N95DK5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 950В 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
950В
Ток стока макс.:
18А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
STW20N95K5 STW20N95K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 950В 17.5A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247-3
Напряжение сток-исток макс.:
950В
Ток стока макс.:
17.5A
Сопротивление открытого канала:
330 мОм
Мощность макс.:
250Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1500пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STW20NM50FD STW20NM50FD Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 20А 214Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
250 мОм
Мощность макс.:
214Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
53нКл
Входная емкость:
1380пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STW20NM60FD STW20NM60FD Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 20A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247-3
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
290 мОм
Мощность макс.:
214Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
37нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
STW21N65M5 STW21N65M5 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 17 А, 0.179 Ом, 30 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
STW23NM50N STW23NM50N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 17A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247-3
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
1330пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STW24N60M2 STW24N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
STW25N80K5 STW25N80K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 19.5A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
19.5A
Сопротивление открытого канала:
260 мОм
Мощность макс.:
250Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
STW25N95K3 STW25N95K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 950В 22А 400Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
950В
Ток стока макс.:
22A
Сопротивление открытого канала:
360 мОм
Мощность макс.:
400Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
105нКл
Входная емкость:
3680пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
STW25NM60ND STW25NM60ND Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 21A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247-3
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
21A
Сопротивление открытого канала:
160 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
80нКл
Входная емкость:
2400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STW26NM50 STW26NM50 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 30A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247-3
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
120 мОм
Мощность макс.:
313Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
106нКл
Входная емкость:
3000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.69252 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"