Одиночные MOSFET транзисторы

364
Корпус: TO247
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (364)
AUIRFP2907 AUIRFP2907 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 90A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
90A
Сопротивление открытого канала:
4.5 мОм
Мощность макс.:
470Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
620нКл
Входная емкость:
13000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
AUIRFP4004 AUIRFP4004 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 350А 380Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
195A
Сопротивление открытого канала:
1.7 мОм
Мощность макс.:
380Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
330нКл
Входная емкость:
8920пФ
Тип монтажа:
Through Hole
CI7N220SM CI7N220SM 2.2kV 900m? 94W TO-247-3 Single FETs, MOSFETs RoHS
Производитель:
Guangzhou Tokmas Electronics Co., Ltd
Корпус:
TO-247-3
FCH041N60F FCH041N60F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 76A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247-3
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
76A
Сопротивление открытого канала:
41 мОм
Мощность макс.:
595Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
360нКл
Входная емкость:
14365пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FCH072N60F FCH072N60F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 52A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
52A
Сопротивление открытого канала:
72 мОм
Мощность макс.:
481Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
215нКл
Входная емкость:
8660пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FCH104N60F FCH104N60F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 37A TO-247
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
37A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
104 мОм @ 18.5А, 10В
Мощность макс.:
357Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
139нКл @ 10В
Входная емкость:
5950пФ @ 100В
Тип монтажа:
Through Hole
FCH22N60N FCH22N60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 22A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247-3
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
22A
Сопротивление открытого канала:
165 мОм
Мощность макс.:
205Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
1950пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FCH25N60N FCH25N60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 25A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
25A
Сопротивление открытого канала:
126 мОм
Мощность макс.:
216Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
74нКл
Входная емкость:
3352пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FCH47N60-F133 FCH47N60-F133 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 47A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247-3
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
47A
Сопротивление открытого канала:
70 мОм
Мощность макс.:
417Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
270нКл
Входная емкость:
8000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FCH47N60F-F133 FCH47N60F-F133 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 47A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247-3
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
47A
Сопротивление открытого канала:
70 мОм
Мощность макс.:
417Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
270нКл
Входная емкость:
8000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FCH47N60NF FCH47N60NF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 45.8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
45.8A
Сопротивление открытого канала:
65 мОм
Мощность макс.:
368Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
157нКл
Входная емкость:
6120пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FCH76N60N FCH76N60N MOSFET N-CH 600V 76A TO-247
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247-3
FDH038AN08A1 FDH038AN08A1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 80A TO-247
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
80А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
FDH047AN08A0 FDH047AN08A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 80A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
4.7 мОм
Мощность макс.:
310Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
138нКл
Входная емкость:
6600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDH055N15A FDH055N15A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
158A
Сопротивление открытого канала:
5.9 мОм
Мощность макс.:
429Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
120нКл
Входная емкость:
9445пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDH3632 FDH3632 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80A TO-247
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
80А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
FDH44N50 FDH44N50 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 44A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
44A
Сопротивление открытого канала:
120 мОм
Мощность макс.:
750Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
108нКл
Входная емкость:
5335пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDH45N50F-F133 FDH45N50F-F133 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 45A TO-247
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
45А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
FDH45N50F_F133 FDH45N50F_F133 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 45A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247-3
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
45A
Сопротивление открытого канала:
120 мОм
Мощность макс.:
625Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
137нКл
Входная емкость:
6630пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQH8N100C FQH8N100C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1000В 8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
1000В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
1.45 Ом
Мощность макс.:
225Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
70нКл
Входная емкость:
3220пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.69252 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"