Одиночные MOSFET транзисторы

19
Корпус: SOT883
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (19)
2N7002BKM,315 2N7002BKM,315 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 0.45A автомобильного применения 3-Pin DFN лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-883
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
450мА
Сопротивление открытого канала:
1.6 Ом
Мощность макс.:
360мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В
Заряд затвора:
0.6нКл
Входная емкость:
50пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BSS84AKM,315 BSS84AKM,315 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 50В 0.23A автомобильного применения 3-Pin DFN лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-883
Напряжение сток-исток макс.:
50В
Ток стока макс.:
230мА
Сопротивление открытого канала:
7.5 Ом
Мощность макс.:
340мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В
Заряд затвора:
0.35нКл
Входная емкость:
36пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BSS84AKMB,315 BSS84AKMB,315 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 50В 0.23A автомобильного применения 3-Pin DFN-B лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
3-DFN1006B (0.6x1)
Напряжение сток-исток макс.:
50В
Ток стока макс.:
230мА
Сопротивление открытого канала:
7.5 Ом
Мощность макс.:
360мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В
Заряд затвора:
0.35нКл
Входная емкость:
36пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
DMN2005LP4K-7 DMN2005LP4K-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 0.3A автомобильного применения 3-Pin DFN лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
3-DFN1006H4 (1.0x0.6)
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
200мА(Ta)
Сопротивление открытого канала:
1.5 Ом @ 10mА, 4В
Мощность макс.:
200мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
900mВ @ 100 µA
Входная емкость:
41пФ @ 3В
Тип монтажа:
Surface Mount
DMN2005LPK-7 DMN2005LPK-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 0.44A автомобильного применения 3-Pin DFN лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
3-DFN1006 (1.0x0.6)
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
440мА
Сопротивление открытого канала:
1.5 Ом
Мощность макс.:
450мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.2В
Тип монтажа:
Surface Mount
DMN2300UFB4-7B DMN2300UFB4-7B Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 1.3A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
3-DFN1006H4 (1.0x0.6)
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1.3A
Сопротивление открытого канала:
175 мОм
Мощность макс.:
470мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
950mВ
Заряд затвора:
1.6нКл
Входная емкость:
64.3пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
DMN2600UFB-7 DMN2600UFB-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 1.3A автомобильного применения 3-Pin DFN лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
3-DFN1006 (1.0x0.6)
Напряжение сток-исток макс.:
25В
Ток стока макс.:
1.3A
Сопротивление открытого канала:
350 мОм
Мощность макс.:
540мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
0.85нКл
Входная емкость:
70.13пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
DMN26D0UFB4-7 DMN26D0UFB4-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 0.24A автомобильного применения 3-Pin X2-DFN лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
3-DFN1006H4 (1.0x0.6)
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
230мА
Сопротивление открытого канала:
3 Ом
Мощность макс.:
350мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.1В
Входная емкость:
14.1пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
DMN32D2LFB4-7 DMN32D2LFB4-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 0.3A автомобильного применения 3-Pin X2-DFN лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
3-DFN1006H4 (1.0x0.6)
DMP21D0UFB4-7B DMP21D0UFB4-7B Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1.17A автомобильного применения 3-Pin X2-DFN лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
3-DFN1006H4 (1.0x0.6)
DMP21D5UFB4-7B DMP21D5UFB4-7B Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 0.7A автомобильного применения 3-Pin DFN лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
3-DFN1006 (1.0x0.6)
DMP31D0UFB4-7B DMP31D0UFB4-7B Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 540мА
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
3-DFN1006 (1.0x0.6)
DMP58D0LFB-7 DMP58D0LFB-7 Полевой транзистор P-канальный 50В 0.31A автомобильного применения 3-Pin DFN лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
3-DFN1006 (1.0x0.6)
NTNS3A65PZT5G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 235мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
281мА
Сопротивление открытого канала:
1.3 Ом
Мощность макс.:
155мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 1.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
1.1нКл
Входная емкость:
44пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NX3008PBKMB,315 NX3008PBKMB,315 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 0.3A автомобильного применения 3-Pin DFN-B лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
3-DFN1006B (0.6x1)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
300мА
Сопротивление открытого канала:
4.1 Ом
Мощность макс.:
360мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.1В
Заряд затвора:
0.72нКл
Входная емкость:
46пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
PMZ1000UN,315 PMZ1000UN,315 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 0.48A 3-Pin DFN лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-883
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
480мА
Сопротивление открытого канала:
1 Ом
Мощность макс.:
350мВт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
950mВ
Заряд затвора:
0.89нКл
Входная емкость:
43пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
PMZ390UN,315 PMZ390UN,315 MOSFET N-CH 30V 1.78A SOT883
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-883
PMZB290UNE,315 PMZB290UNE,315 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 1A 3-Pin DFN-B лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
3-DFN1006B (0.6x1)
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
360мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
950mВ
Заряд затвора:
0.68нКл
Входная емкость:
83пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
PMZB350UPE,315 PMZB350UPE,315 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
3-DFN1006B (0.6x1)
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1A
Сопротивление открытого канала:
450 мОм
Мощность макс.:
360мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
950mВ
Заряд затвора:
1.9нКл
Входная емкость:
127пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.7164 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"