Одиночные MOSFET транзисторы

₃₉₂

Корпус: SOIC8

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3357)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (392)

IRF7473TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 6.9A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

6.9A

Сопротивление открытого канала:

26 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5.5В

Заряд затвора:

61нКл

Входная емкость:

3180пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF7476TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 12В 15A 8-SOIC

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

12В

Ток стока макс.:

15A(Ta)

Сопротивление открытого канала:

8 мОм @ 15А, 4.5В

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.9В @ 250 µA

Заряд затвора:

40нКл @ 4.5В

Входная емкость:

2550пФ @ 6В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF7478PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 7А 2.5Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

26 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

31нКл

Входная емкость:

1740пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

2 275 шт

Цена от:

от 47,07₽

IRF7488TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 6.3A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

80В

Ток стока макс.:

6.3A

Сопротивление открытого канала:

29 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

57нКл

Входная емкость:

1680пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF7490PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 5.4A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

5.4A

Сопротивление открытого канала:

39 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

56нКл

Входная емкость:

1720пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF7490TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 5.4A 8-Pin SOIC лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

5.4A

Сопротивление открытого канала:

39 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

56нКл

Входная емкость:

1720пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF7492PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 3.7А 2.5Вт, 0.079 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

3.7A

Сопротивление открытого канала:

79 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

59нКл

Входная емкость:

1820пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF7492TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 3.7А 2.5Вт, 0.079 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

3.7A

Сопротивление открытого канала:

79 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

59нКл

Входная емкость:

1820пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF7493PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 9.2А 2.5Вт, 0.015 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

80В

Ток стока макс.:

9.3A

Сопротивление открытого канала:

15 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

53нКл

Входная емкость:

1510пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

2 273 шт

Цена от:

от 56,58₽

Акция

IRF7495PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 7.3А 2.5Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

7.3A

Сопротивление открытого канала:

22 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

51нКл

Входная емкость:

1530пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

358 шт

Цена от:

от 68,00₽

Акция

IRF7805PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13А

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

13A

Сопротивление открытого канала:

11 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

31нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF7805TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

13A

Сопротивление открытого канала:

11 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

31нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF7805ZTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 16A 8-SOIC

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

16A(Ta)

Сопротивление открытого канала:

6.8 мОм @ 16А, 10В

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.25В @ 250 µA

Заряд затвора:

27нКл @ 4.5В

Входная емкость:

2080пФ @ 15В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF7807APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 8.3A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

8.3A

Сопротивление открытого канала:

25 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

17нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF7807TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 8.3A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

8.3A

Сопротивление открытого канала:

25 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

17нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF7807VD1PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 8.3A 8-SOIC

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

8.3A

Сопротивление открытого канала:

25 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Diode (Isolated)

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

14нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF7807VTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 8.3A 8-Pin SOIC лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

8.3A

Сопротивление открытого канала:

25 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

14нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF7809AVPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13.3А 2.5Вт, 0.007 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

13.3A

Сопротивление открытого канала:

9 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

62нКл

Входная емкость:

3780пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

1 082 шт

Цена от:

от 69,56₽

Акция

IRF7811AVPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 10.8A 2,5Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

10.8A

Сопротивление открытого канала:

14 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

26нКл

Входная емкость:

1801пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

1 402 шт

Цена от:

от 110,25₽

Акция

IRF7815PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 5.1A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

5.1A

Сопротивление открытого канала:

43 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

38нКл

Входная емкость:

1647пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

1 024 шт

Цена от:

от 77,12₽

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.69252 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"