Одиночные MOSFET транзисторы

392
Корпус: SOIC8
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (392)
SI4128DY-T1-GE3 SI4128DY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 10.9A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
10.9A
Сопротивление открытого канала:
24 мОм
Мощность макс.:
5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
435пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI4134DY-T1-GE3 SI4134DY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 14A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
14 мОм
Мощность макс.:
5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
23нКл
Входная емкость:
846пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI4136DY-T1-GE3 SI4136DY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 46A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
46A
Сопротивление открытого канала:
2 мОм
Мощность макс.:
7.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
4560пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI4154DY-T1-GE3 SI4154DY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 36A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
36A
Сопротивление открытого канала:
3.3 мОм
Мощность макс.:
7.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
105нКл
Входная емкость:
4230пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI4160DY-T1-GE3 SI4160DY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 25.4A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
25.4A
Сопротивление открытого канала:
4.9 мОм
Мощность макс.:
5.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В
Заряд затвора:
54нКл
Входная емкость:
2071пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI4162DY-T1-GE3 SI4162DY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 19.3A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
19.3A
Сопротивление открытого канала:
7.9 мОм
Мощность макс.:
5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
1155пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI4164DY-T1-GE3 SI4164DY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 30A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
3.2 мОм
Мощность макс.:
6Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
95нКл
Входная емкость:
3545пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI4166DY-T1-GE3 SI4166DY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 30.5A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
30.5A
Сопротивление открытого канала:
3.9 мОм
Мощность макс.:
6.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В
Заряд затвора:
65нКл
Входная емкость:
2730пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI4174DY-T1-GE3 SI4174DY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 17A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
9.5 мОм
Мощность макс.:
5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
27нКл
Входная емкость:
985пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI4178DY-T1-GE3 SI4178DY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 12A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
21 мОм
Мощность макс.:
5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
405пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI4186DY-T1-GE3 SI4186DY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 35.8A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
35.8A
Сопротивление открытого канала:
2.6 мОм
Мощность макс.:
6Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В
Заряд затвора:
90нКл
Входная емкость:
3630пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI4190ADY-T1-GE3 SI4190ADY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 18.4A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
18.4A
Сопротивление открытого канала:
8.8 мОм
Мощность макс.:
6Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В
Заряд затвора:
67нКл
Входная емкость:
1970пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI4386DY-T1-E3 SI4386DY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 11A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
7 мОм
Мощность макс.:
1.47Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
18нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
SI4401BDY-T1-E3 SI4401BDY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 8.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
8.7A
Сопротивление открытого канала:
14 мОм
Мощность макс.:
1.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
55нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
SI4401BDY-T1-GE3 SI4401BDY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 8.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
8.7A
Сопротивление открытого канала:
14 мОм
Мощность макс.:
1.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
55нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
SI4403CDY-T1-GE3 SI4403CDY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 13.4A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
13.4A
Сопротивление открытого канала:
15.5 мОм
Мощность макс.:
5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
90нКл
Входная емкость:
2380пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI4410DYTRPBF SI4410DYTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 10A 8-SOIC
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOIC8
SI4420BDY-T1-E3 SI4420BDY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 9.5A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
9.5A
Сопротивление открытого канала:
8.5 мОм
Мощность макс.:
1.4Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
50нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
SI4421DY-T1-E3 SI4421DY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 10A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
8.75 мОм
Мощность макс.:
1.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
800mВ
Заряд затвора:
125нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
SI4431BDY-T1-E3 SI4431BDY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 5.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
5.7A
Сопротивление открытого канала:
30 мОм
Мощность макс.:
1.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
20нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.69252 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"