Одиночные MOSFET транзисторы

558
Корпус: SOT23-3
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (558)
DMP3056L-7 DMP3056L-7 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 4.3A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-23
DMP3099L-13 DMP3099L-13 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3.8A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-23
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
19 шт
Цена от:
от 6,17
DMP3130L-7 DMP3130L-7 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3.5A SOT-23
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
3.5A
Сопротивление открытого канала:
77 мОм
Мощность макс.:
1.4Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.3В
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
432пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
DMP3160LQ-7 DMP3160LQ-7 Trans MOSFET P-CH 30V 2.7A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-23
DMP3165L-13 DMP3165L-13 Trans MOSFET P-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-23
DMP32D4S-13 DMP32D4S-13 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 0.3A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-23
DMP610DL-13 DMP610DL-13 Trans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-23
DN3135K1-G DN3135K1-G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 350В 0.072A 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Microchip Technology Inc.
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение сток-исток макс.:
350В
Ток стока макс.:
72мА(Tj)
Сопротивление открытого канала:
35 Ом @ 150mА, 0В
Мощность макс.:
360мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Depletion Mode
Входная емкость:
120пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
FDN304P FDN304P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2.4А 0.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23 (SuperSOT-3)
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
2.4A
Сопротивление открытого канала:
52 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 1.8V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
1312пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDN304PZ FDN304PZ Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2.4А 0.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
3-SSOT
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
2.4A
Сопротивление открытого канала:
52 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 1.8V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
1310пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
FDN306P FDN306P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 1.5А 90мОм
Производитель:
UMW Youtai Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
FDN308P FDN308P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
3-SSOT
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1.5A
Сопротивление открытого канала:
125 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
5.4нКл
Входная емкость:
341пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDN336P FDN336P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1.3A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
3-SSOT
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1.3A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
5нКл
Входная емкость:
330пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDN338P FDN338P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1.6А 0.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23 (SuperSOT-3)
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1.6A
Сопротивление открытого канала:
115 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
6.2нКл
Входная емкость:
451пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
5 016 шт
Цена от:
от 3,39
Акция
FDN338P FDN338P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2.8А
Производитель:
UMW Youtai Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
2.8А
Тип транзистора:
P-канальный
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
5 016 шт
Цена от:
от 3,39
FDN339AN FDN339AN Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 3А 0.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
3-SSOT
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDN340P FDN340P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2А 0,5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
3-SSOT
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
2A
Сопротивление открытого канала:
70 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
779пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDN342P FDN342P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
3-SSOT
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
2A
Сопротивление открытого канала:
80 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
9нКл
Входная емкость:
635пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDN352AP FDN352AP Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 1.3А 0.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23 (SuperSOT-3)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
1.3A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
1.9нКл
Входная емкость:
150пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDN359AN FDN359AN Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 2.7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
3-SSOT
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
2.7A
Сопротивление открытого канала:
46 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
7нКл
Входная емкость:
480пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.69252 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"