Одиночные MOSFET транзисторы

562
Корпус: SOT23-3
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (562)
-5% Акция
FDN338P FDN338P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2.8А
Производитель:
UMW Youtai Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
2.8А
Тип транзистора:
P-канальный
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
4 116 шт
Цена от:
от 3,70
FDN339AN FDN339AN Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 3А 0.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
3-SSOT
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDN340P FDN340P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2А 0,5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
3-SSOT
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
2A
Сопротивление открытого канала:
70 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
779пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDN342P FDN342P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
3-SSOT
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
2A
Сопротивление открытого канала:
80 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
9нКл
Входная емкость:
635пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDN352AP FDN352AP Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 1.3А 0.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23 (SuperSOT-3)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
1.3A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
1.9нКл
Входная емкость:
150пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDN359AN FDN359AN Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 2.7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
3-SSOT
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
2.7A
Сопротивление открытого канала:
46 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
7нКл
Входная емкость:
480пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDN359BN FDN359BN Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 2.7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
3-SSOT
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
2.7A
Сопротивление открытого канала:
46 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
7нКл
Входная емкость:
650пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDN361BN FDN361BN Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 1.4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
3-SSOT
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
1.4A
Сопротивление открытого канала:
110 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
1.8нКл
Входная емкость:
193пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDN5630 FDN5630 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 1.7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23 (SuperSOT-3)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
1.7A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
14 153 шт
Цена от:
от 5,82
FDN5630 FDN5630 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 4А 1.66Вт
Производитель:
UMW Youtai Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
14 153 шт
Цена от:
от 5,82
FDN5632N_F085 FDN5632N_F085 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 1.7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
3-SSOT
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
1.7A
Сопротивление открытого канала:
82 мОм
Мощность макс.:
1.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
475пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDN8601 FDN8601 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 2.7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
3-SSOT
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
2.7A
Сопротивление открытого канала:
109 мОм
Мощность макс.:
600мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
5нКл
Входная емкость:
210пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDN86246 FDN86246 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 1.6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
3-SSOT
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
1.6A
Сопротивление открытого канала:
261 мОм
Мощность макс.:
600мВт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
5нКл
Входная емкость:
225пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFML8244TRPBF IRFML8244TRPBF Транзистор полевой N-канальный 25В 5.8А 1.25Вт
Производитель:
Hottech Co. Ltd
Корпус:
SOT23-3
IRLML0030TRPBF-VB IRLML0030TRPBF-VB
Производитель:
VBsemi Semiconductor (Taiwan) Co., Ltd.
Корпус:
SOT23-3
IRLML0060 IRLML0060 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.7А [SOT-23-3]
Производитель:
Hottech Co. Ltd
Корпус:
SOT23-3
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
109 724 шт
Цена от:
от 2,33
IRLML2402GTRPBF IRLML2402GTRPBF Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 1.2 А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT23-3
IRLML2402TR IRLML2402TR Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 4.2A SOT-23
Производитель:
UMW Youtai Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 4.2 А, 0.8 Вт, 0.045 Ом
Производитель:
Hottech Co. Ltd
Корпус:
SOT23-3
IRLML5103 IRLML5103 Транзистор полевой P-канальный 20В 0.76А 0.54Вт, 0.6 Ом
Производитель:
Hottech Co. Ltd
Корпус:
SOT23-3
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
112 439 шт
Цена от:
от 2,14
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"