Одиночные MOSFET транзисторы

558
Корпус: SOT23-3
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (558)
TP0610T-G TP0610T-G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 0.12A 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Microchip Technology Inc.
Корпус:
TO-236AB (SOT23)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
120мА(Tj)
Сопротивление открытого канала:
10 Ом @ 200mА, 10В
Мощность макс.:
360мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В @ 1mA
Входная емкость:
60пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
TSM250N02CX RFG TSM250N02CX RFG Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 5.8A 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
5.8A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
UF07P15G-AE3-R UF07P15G-AE3-R 150V 700mA 3.1-@10V,500mA 600mW 4V@250uA P Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Производитель:
Unisonic Technologies
Корпус:
SOT-23
UT3404G-AE3-R UT3404G-AE3-R 30V 5.8A 28m-@10V,5.8A 1.4W 3V@250uA N Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Производитель:
Unisonic Technologies
Корпус:
SOT-23
UT3N06G-AE3-R UT3N06G-AE3-R 60V 3A 90m-@10V,3A 350mW 3V@250uA N Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Производитель:
Unisonic Technologies
Корпус:
SOT-23
VN10LFTA VN10LFTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 0.15A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
150мА
Сопротивление открытого канала:
5 Ом
Мощность макс.:
330мВт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Входная емкость:
60пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
WM02N28M WM02N28M Транзистор полевой MOSFET N-канальный напряжение сток-исток 20В, ток стока 2.8А
Производитель:
Wayon
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
2.8А
Тип транзистора:
N-канальный
WM02P26M WM02P26M Транзистор полевой MOSFET P-канальный напряжение сток-исток 20В, ток стока 2.6А
Производитель:
Wayon
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
2.6А
Тип транзистора:
P-канальный
YJL03N06AQ YJL03N06AQ SOT-23 MOSFETs ROHS
Производитель:
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO., LTD.
Корпус:
SOT-23
YJL2305BQ YJL2305BQ SOT-23 MOSFETs ROHS
Производитель:
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO., LTD.
Корпус:
SOT-23
YJL3401AQ YJL3401AQ Транзистор MOSFET Р-кан., Uс-и макс. -30 В, Iс ном. при 25°C -4.4 А, Rот.(мин) 45.5 мОм, Rот.при Uз(ном), min 45.5 мОм, Rот.при Uз(ном), max 64 мОм, диап. Uз мин. -2.5 В, диап. Uз макс. -10 В, Uз макс. 12 В, Qз 18 нКл, Р=-1.2 Вт, Сз=1 040пФ
Производитель:
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO., LTD.
Корпус:
SOT-23
YJL3407AQ YJL3407AQ Транзистор MOSFET Р-кан., Uс-и макс. -30 В, Iс ном. при 25°C -4.1 А, Rот.(мин) 36 мОм, Rот.при Uз(ном), min 36 мОм, Rот.при Uз(ном), max 52 мОм, диап. Uз мин. -4.5 В, диап. Uз макс. -10 В, Uз макс. 20 В, Qз 11.65 нКл, Р=1.2 Вт, Сз=572пФ
Производитель:
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO., LTD.
Корпус:
SOT-23
YJL3416A YJL3416A 20V 7A 1.3W 18m-@4.5V,7A 1V@250uA N Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Производитель:
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO., LTD.
Корпус:
SOT-23
ZVN3306FTA ZVN3306FTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 150мА
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
ZVN3310FTA ZVN3310FTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 0.1A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
ZVN3320FTA ZVN3320FTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 0.06A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
ZVN4106FTA ZVN4106FTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 0.2A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
ZVP3306FTA ZVP3306FTA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 0.09A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
90мА
Сопротивление открытого канала:
14 Ом
Мощность макс.:
330мВт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Входная емкость:
50пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZVP3310FTA ZVP3310FTA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 0.075A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
75мА
Сопротивление открытого канала:
20 Ом
Мощность макс.:
330мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Входная емкость:
50пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXM61N02FTA ZXM61N02FTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 1.7A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1.7A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
625мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
700mВ
Заряд затвора:
3.4нКл
Входная емкость:
160пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.69252 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"