Одиночные MOSFET транзисторы

907
Корпус: DPAK/TO252
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (907)
AOD403 AOD403 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
6 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
120нКл
Входная емкость:
5300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
AOD407 AOD407 Полевой транзистор, P-канальный, -60 В, -12 А, 115 мОм
Производитель:
Noname
Корпус:
DPAK/TO-252AA
-5% Акция
AOD4126 AOD4126 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 43А 50Вт
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
TO-252
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
7.5A
Сопротивление открытого канала:
24 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
2200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
AOD413 AOD413 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 12А 25Вт
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
TO-252
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
24A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14.1нКл
Входная емкость:
850пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
852 шт
Цена от:
от 14,19
AOD4185 AOD4185 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 40А
Производитель:
VBsemi Semiconductor (Taiwan) Co., Ltd.
Корпус:
TO-252
Акция
AOD454 AOD454 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 12А 25Вт (рекомендуемая замена:AOD454A)
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
TO-252
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
12A
Мощность макс.:
25Вт
Тип транзистора:
N-канал
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
571 шт
Цена от:
от 22,51
AOD508 AOD508 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
TO-252, (D-Pak)
Напряжение сток-исток макс.:
30V
Ток стока макс.:
22A (Ta), 70A (Tc)
Сопротивление открытого канала:
3 mOhm @ 20A, 10V
Мощность макс.:
2.5W
Тип транзистора:
MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2V @ 250 µA
Заряд затвора:
49nC @ 10V
Входная емкость:
2010pF @ 15V
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
AP4415GH AP4415GH Полевой транзистор, P-канальный, 35 В, 24 А, 31 Вт
Производитель:
Advanced Power Electronics Corp.
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Акция
APM4010NUC APM4010NUC Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 57А 50Вт
Производитель:
ANPEC Electronics Corp.
Корпус:
TO-252
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
57A
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
APM4015PU APM4015PU Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 45А 50Вт
Производитель:
ANPEC Electronics Corp.
Корпус:
TO-252
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
45A
Мощность макс.:
50 Вт
Тип транзистора:
P-канал
AUIRFR024N AUIRFR024N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 17A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
75 мОм
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
370пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
AUIRFR1010Z AUIRFR1010Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 42A DPAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
42A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
7.5 мОм @ 42А, 10В
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 100 µA
Заряд затвора:
95нКл @ 10В
Входная емкость:
2840пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRFR1018E AUIRFR1018E Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 79A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
56A
Сопротивление открытого канала:
8.4 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
69нКл
Входная емкость:
2290пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRFR120Z AUIRFR120Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 8.7A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
8.7A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
35Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
310пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRFR2405 AUIRFR2405 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 30A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
16 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
2430пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRFR2407 AUIRFR2407 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 42A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
42A
Сопротивление открытого канала:
26 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
2400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
AUIRFR2607Z AUIRFR2607Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 42А 110Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
42A
Сопротивление открытого канала:
22 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
51нКл
Входная емкость:
1440пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
AUIRFR2905Z AUIRFR2905Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 42A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
42A
Сопротивление открытого канала:
14.5 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
44нКл
Входная емкость:
1380пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
284 шт
Цена от:
от 94,00
Акция
AUIRFR3504Z AUIRFR3504Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 42A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
42A
Сопротивление открытого канала:
9 мОм
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
1510пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRFR3504ZTRL AUIRFR3504ZTRL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 77A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
42A
Сопротивление открытого канала:
9 мОм
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
1510пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"