Одиночные MOSFET транзисторы

906
Корпус: DPAK/TO252
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (906)
IRFR014TRPBF IRFR014TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 7.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
7.7A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFR020TRPBF IRFR020TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 14A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
640пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRFR024NPBF IRFR024NPBF Транзистор полевой N-канальный 55В 17А 38Вт, 0.075 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
IRFR024NTRLPBF IRFR024NTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 17A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
75 мОм
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
370пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFR024TRLPBF IRFR024TRLPBF Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 14 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Наличие:
0 шт.

Внешние склады:
0 шт.
Аналоги:
4 236 шт.
Цена от:
от 59,93
IRFR1010ZPBF IRFR1010ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 42A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
42A
Сопротивление открытого канала:
7.5 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
95нКл
Входная емкость:
2840пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
60 шт
Цена от:
от 315,83
IRFR1010ZTRLPBF IRFR1010ZTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 42A DPAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
42A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
7.5 мОм @ 42А, 10В
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 100 µA
Заряд затвора:
95нКл @ 10В
Входная емкость:
2840пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRFR1018EPBF IRFR1018EPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 79A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
56A
Сопротивление открытого канала:
8.4 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
69нКл
Входная емкость:
2290пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
316 шт
Цена от:
от 77,51
IRFR110TRLPBF IRFR110TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 4.3A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
4.3A
Сопротивление открытого канала:
540 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.3нКл
Входная емкость:
180пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 793 шт
Цена от:
от 36,54
Акция
IRFR1205PBF IRFR1205PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 44А 107Вт, 0.027 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
44A
Сопротивление открытого канала:
27 мОм
Мощность макс.:
107Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
65нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
8 111 шт
Цена от:
от 35,86
Акция
IRFR1205TR IRFR1205TR Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 44A
Производитель:
UMW Youtai Semiconductor
Корпус:
TO-252
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
19 208 шт
Цена от:
от 9,06
IRFR1205TRLPBF IRFR1205TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 44A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
44A
Сопротивление открытого канала:
27 мОм
Мощность макс.:
107Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
65нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
8 111 шт
Цена от:
от 35,86
Акция
IRFR120NPBF IRFR120NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 7.7А 42Вт, 0.27 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Новинка
IRFR120NTR IRFR120NTR MOSFET N-CH 100V 9.4A
Производитель:
UMW Youtai Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Акция
IRFR120NTR IRFR120NTR Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 9.4A DPAK
Производитель:
UMW Youtai Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
IRFR120PBF IRFR120PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 7.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
7.7A
Сопротивление открытого канала:
270 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
16нКл
Входная емкость:
360пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFR120TRLPBF IRFR120TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 7.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
7.7A
Сопротивление открытого канала:
270 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
16нКл
Входная емкость:
360пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFR120TRPBF IRFR120TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 7.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
7.7A
Сопротивление открытого канала:
270 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
16нКл
Входная емкость:
360пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFR120TRRPBF IRFR120TRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 7.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
7.7A
Сопротивление открытого канала:
270 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
16нКл
Входная емкость:
360пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRFR120ZPBF IRFR120ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 8.7А 35Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
8.7A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
35Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
310пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
600 шт
Цена от:
от 94,73
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.69252 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"