Одиночные MOSFET транзисторы

₉₀₆

Корпус: DPAK/TO252

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3357)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (906)

Акция

IRLR2905ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 42А 110Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

42A

Сопротивление открытого канала:

13.5 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

35нКл

Входная емкость:

1570пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

6 333 шт

Цена от:

от 33,13₽

IRLR2905ZTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 42A DPAK

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

42A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

13.5 мОм @ 36А, 10В

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В @ 250 µA

Заряд затвора:

35нКл @ 5В

Входная емкость:

1570пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

6 333 шт

Цена от:

от 32,24₽

Акция

IRLR2908PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 30А 120Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

80В

Ток стока макс.:

30A

Сопротивление открытого канала:

28 мОм

Мощность макс.:

120Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

33нКл

Входная емкость:

1890пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

2 300 шт

Цена от:

от 34,34₽

IRLR2908TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

80В

Ток стока макс.:

30A

Сопротивление открытого канала:

28 мОм

Мощность макс.:

120Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

33нКл

Входная емкость:

1890пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

2 300 шт

Цена от:

от 31,56₽

IRLR3103PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 55А 69Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

55A

Сопротивление открытого канала:

19 мОм

Мощность макс.:

107Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

50нКл

Входная емкость:

1600пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

612 шт

Цена от:

от 66,09₽

Акция

IRLR3105PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 25А 57Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

25A

Сопротивление открытого канала:

37 мОм

Мощность макс.:

57Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

710пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

210 шт

Цена от:

от 50,43₽

Акция

IRLR3110ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 42А 140Вт, 0,014 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

42A

Сопротивление открытого канала:

14 мОм

Мощность макс.:

140Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

48нКл

Входная емкость:

3980пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

12 709 шт

Цена от:

от 57,63₽

IRLR3110ZTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 42A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

42A

Сопротивление открытого канала:

14 мОм

Мощность макс.:

140Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

48нКл

Входная емкость:

3980пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

12 709 шт

Цена от:

от 57,63₽

IRLR3110ZTRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 42A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

42A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

14 мОм @ 38А, 10В

Мощность макс.:

140Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В @ 100 µA

Заряд затвора:

48нКл @ 4.5В

Входная емкость:

3980пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

12 709 шт

Цена от:

от 73,63₽

Акция

IRLR3114ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 42А 140Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

42A

Сопротивление открытого канала:

4.9 мОм

Мощность макс.:

140Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

56нКл

Входная емкость:

3810пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

4 090 шт

Цена от:

от 54,80₽

Акция

IRLR3410PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 17А 69Вт, 0.125 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

17A

Сопротивление открытого канала:

105 мОм

Мощность макс.:

79Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

34нКл

Входная емкость:

800пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

2 599 шт

Цена от:

от 15,44₽

Акция

IRLR3410TR Транзистор полевой N-канальный 100В 17A

Производитель:

UMW Youtai Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

2 599 шт

Цена от:

от 23,87₽

IRLR3410TRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 17A DPAK

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

17A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

105 мОм @ 10А, 10В

Мощность макс.:

79Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В @ 250 µA

Заряд затвора:

34нКл @ 5В

Входная емкость:

800пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

2 599 шт

Цена от:

от 15,44₽

IRLR3636PBF Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 99 А, 143 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Сообщить о поступлении

Новинка

IRLR3636TRPBF Транзистор полевой N-канальный 60В 99А 143Вт

Производитель:

Hottech Co. Ltd

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Связаться с инженером по применению

IRLR3636TRPBF-VB

Производитель:

VBsemi Semiconductor (Taiwan) Co., Ltd.

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

3 216 шт

Цена от:

от 40,02₽

Акция

IRLR3705ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 42А 130Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

42A

Сопротивление открытого канала:

8 мОм

Мощность макс.:

130Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

66нКл

Входная емкость:

2900пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

300 шт

Цена от:

от 127,81₽

IRLR3715ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 49A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

49A

Сопротивление открытого канала:

11 мОм

Мощность макс.:

40Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.55В

Заряд затвора:

11нКл

Входная емкость:

810пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRLR3717TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 120A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

4 мОм

Мощность макс.:

89Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.45В

Заряд затвора:

31нКл

Входная емкость:

2830пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

93 шт

Цена от:

от 82,43₽

IRLR3717TRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 120A DPAK

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

120A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

4 мОм @ 15А, 10В

Мощность макс.:

89Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.45В @ 250 µA

Заряд затвора:

31нКл @ 4.5В

Входная емкость:

2830пФ @ 10В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.69252 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"