Одиночные MOSFET транзисторы

906
Корпус: DPAK/TO252
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (906)
IRLR3802TRPBF IRLR3802TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 12В 84A DPAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
12В
Ток стока макс.:
84A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
8.5 мОм @ 15А, 4.5В
Мощность макс.:
88Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.9В @ 250 µA
Заряд затвора:
41нКл @ 5В
Входная емкость:
2490пФ @ 6В
Тип монтажа:
Surface Mount
IRLR3915TRPBF IRLR3915TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 30A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
14 мОм
Мощность макс.:
120Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
92нКл
Входная емкость:
1870пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRLR6225PBF IRLR6225PBF Транзистор полевой 20В 100A 4.0мОм 2.5В
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
100A
Тип транзистора:
N-канал
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
604 шт
Цена от:
от 71,97
IRLR7821PBF IRLR7821PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 65A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
65A
Сопротивление открытого канала:
10 мОм
Мощность макс.:
75Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
1030пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRLR7821TRPBF IRLR7821TRPBF Полевой транзистор N-канальный 30В 65A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Акция
IRLR7833PBF IRLR7833PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 140А 140Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
140A
Сопротивление открытого канала:
4.5 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
4010пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
945 шт
Цена от:
от 54,63
Акция
IRLR7843PBF IRLR7843PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 161А 140Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
161A
Сопротивление открытого канала:
3.3 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
4380пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
14 942 шт
Цена от:
от 8,97
IRLR7843TRLPBF IRLR7843TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 161A DPAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
161A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
3.3 мОм @ 15А, 10В
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В @ 250 µA
Заряд затвора:
50нКл @ 4.5В
Входная емкость:
4380пФ @ 15В
Тип монтажа:
Surface Mount
IRLR8103VPBF IRLR8103VPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 91A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
91A
Сопротивление открытого канала:
9 мОм
Мощность макс.:
115Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
27нКл
Входная емкость:
2672пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRLR8113PBF IRLR8113PBF Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 94 А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
30V
Ток стока макс.:
94A
Тип транзистора:
N-Channel
Особенности:
Logic Level Gate
Входная емкость:
2920pF
Тип монтажа:
Surface Mount
IRLR8259PBF IRLR8259PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 57A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
25В
Ток стока макс.:
57A
Сопротивление открытого канала:
8.7 мОм
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.35В
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRLR8721PBF IRLR8721PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 65A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
65A
Сопротивление открытого канала:
8.4 мОм
Мощность макс.:
65Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.35В
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
1030пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRLR8726PBF IRLR8726PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 86А 75Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
86A
Сопротивление открытого канала:
5.8 мОм
Мощность макс.:
75Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.35В
Заряд затвора:
23нКл
Входная емкость:
2150пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
8 377 шт
Цена от:
от 8,82
Акция
IRLR8729PBF IRLR8729PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 58A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
58A
Сопротивление открытого канала:
8.9 мОм
Мощность макс.:
55Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.35В
Заряд затвора:
16нКл
Входная емкость:
1350пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRLR8729TRPBF IRLR8729TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 58A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
58A
Сопротивление открытого канала:
8.9 мОм
Мощность макс.:
55Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.35В
Заряд затвора:
16нКл
Входная емкость:
1350пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRLR8743PBF IRLR8743PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 160А 135Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
160A
Сопротивление открытого канала:
3.1 мОм
Мощность макс.:
135Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.35В
Заряд затвора:
59нКл
Входная емкость:
4880пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 138 шт
Цена от:
от 42,75
Акция
IRLR9343PBF IRLR9343PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 20А 79Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
105 мОм
Мощность макс.:
79Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
47нКл
Входная емкость:
660пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
982 шт
Цена от:
от 46,40
IXTY01N100D IXTY01N100D Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1000В 0.1A TO-252AA
Производитель:
Littelfuse
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
1000В (1kВ)
Ток стока макс.:
100мА(Tc)
Сопротивление открытого канала:
110 Ом @ 50mА, 0В
Мощность макс.:
1.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Depletion Mode
Входная емкость:
120пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
IXTY02N120P IXTY02N120P Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1200В 200MA DPAK
Производитель:
Littelfuse
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
1200В (1.2kВ)
Ток стока макс.:
200мА(Tc)
Сопротивление открытого канала:
75 Ом @ 500mА, 10В
Мощность макс.:
33Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 100 µA
Заряд затвора:
4.7нКл @ 10В
Входная емкость:
104пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
IXTY08N100D2 IXTY08N100D2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1кВ 0.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Производитель:
Littelfuse
Корпус:
DPAK/TO-252AA
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.69252 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"