Одиночные MOSFET транзисторы

₉₀₆

Корпус: DPAK/TO252

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Chassis Mount (8)
Through Hole (1863)
Surface Mount (3357)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (906)

NTD14N03RT4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 2.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK-3

Напряжение сток-исток макс.:

25В

Ток стока макс.:

2.5A

Сопротивление открытого канала:

95 мОм

Мощность макс.:

1.04Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

1.8нКл

Входная емкость:

115пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD20N03L27T4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 20A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK-3

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

20A

Сопротивление открытого канала:

27 мОм

Мощность макс.:

1.75Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

18.9нКл

Входная емкость:

1260пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD20N06LT4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 20A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK-3

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

20A

Сопротивление открытого канала:

48 мОм

Мощность макс.:

1.36Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

32нКл

Входная емкость:

990пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD20N06T4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 20A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK-3

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

20A

Сопротивление открытого канала:

46 мОм

Мощность макс.:

1.88Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

30нКл

Входная емкость:

1015пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD20P06LT4G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 15.5А 65Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Сопротивление открытого канала:

150 мОм

Мощность макс.:

65Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

26нКл

Входная емкость:

1190пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD24N06LT4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 24A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

24A

Сопротивление открытого канала:

45 мОм

Мощность макс.:

1.36Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

32нКл

Входная емкость:

1140пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD25P03LT4G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 25А 75Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

25A

Сопротивление открытого канала:

80 мОм

Мощность макс.:

75Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

1260пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD3055-094T4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 12А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

94 мОм

Мощность макс.:

1.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

450пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD3055-150T4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 9A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK-3

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

150 мОм

Мощность макс.:

1.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

15нКл

Входная емкость:

280пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD3055L104T4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 12A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

104 мОм

Мощность макс.:

1.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

440пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD3055L170T4G Транзистор полевой N-канальный 60В 9A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK-3

Сообщить о поступлении

NTD4804NT4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 19.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

14.5A

Сопротивление открытого канала:

4 мОм

Мощность макс.:

1.43Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

40нКл

Входная емкость:

4490пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD4809NT4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 9.6A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

9.6A

Сопротивление открытого канала:

9 мОм

Мощность макс.:

1.4Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

25нКл

Входная емкость:

1456пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD4858NT4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 11.2A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

25В

Ток стока макс.:

11.2A

Сопротивление открытого канала:

6.2 мОм

Мощность макс.:

1.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

19.2нКл

Входная емкость:

1563пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD4860NT4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 10.4A DPAK

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

25В

Ток стока макс.:

10.4А

Тип транзистора:

N-канальный

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD4969NT4G Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 41 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Сообщить о поступлении

NTD5802NT4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 16.4A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

16.4A

Сопротивление открытого канала:

4.4 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3.5В

Заряд затвора:

100нКл

Входная емкость:

5025пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD5862NT4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 98A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK-3

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

98A

Сопротивление открытого канала:

5.7 мОм

Мощность макс.:

115Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

82нКл

Входная емкость:

6000пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD5865NLT4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 40A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

46A

Сопротивление открытого канала:

16 мОм

Мощность макс.:

52Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

29нКл

Входная емкость:

1400пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD5867NLT4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 18A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

20A

Сопротивление открытого канала:

39 мОм

Мощность макс.:

36Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

15нКл

Входная емкость:

675пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.69252 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"