Одиночные MOSFET транзисторы

906
Корпус: DPAK/TO252
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (906)
STD80N6F7 STD80N6F7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
STD85N3LH5 STD85N3LH5 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 80 А
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
STD86N3LH5 STD86N3LH5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 80A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
5 мОм
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
1850пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STD8N80K5 STD8N80K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 6A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
950 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
16.5нКл
Входная емкость:
450пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STD8NF25 STD8NF25 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 8A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
Сопротивление открытого канала:
318мОм
Тип транзистора:
N-канальный
STD8NM50N STD8NM50N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 5A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
790 мОм
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
364пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STD95N4F3 STD95N4F3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 80A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
6.5 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
54нКл
Входная емкость:
2200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STD95N4LF3 STD95N4LF3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 80A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
6 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
70нКл
Входная емкость:
2500пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STD9N60M2 STD9N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 5.5A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
5.5A
Сопротивление открытого канала:
780 мОм
Мощность макс.:
60Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
320пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STU432S STU432S Транзистор полевой N-канальный 40В 50А 50Вт
Производитель:
SamHop
Корпус:
DPAK/TO-252AA
SUD08P06-155L-GE3 SUD08P06-155L-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 8.4A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-252
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
8.4A
Сопротивление открытого канала:
155 мОм
Мощность макс.:
1.7Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
19нКл
Входная емкость:
450пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SUD15N15-95-E3 SUD15N15-95-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 15A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
95 мОм
Мощность макс.:
2.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SUD19N20-90-E3 SUD19N20-90-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 19A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
90 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
51нКл
Входная емкость:
1800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SUD19P06-60-E3 SUD19P06-60-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 18.3A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
18.3A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1710пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SUD19P06-60-GE3 SUD19P06-60-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 18.3A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
18.3A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1710пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SUD23N06-31-GE3 SUD23N06-31-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 21.4A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
21.4A
Сопротивление открытого канала:
31 мОм
Мощность макс.:
31.25Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
670пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SUD40N08-16-E3 SUD40N08-16-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 40A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
16 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
1960пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SUD45P03-09-GE3 SUD45P03-09-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 45 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
SUD50N03-06AP-E3 SUD50N03-06AP-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 90A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
90A
Сопротивление открытого канала:
5.7 мОм
Мощность макс.:
83Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В
Заряд затвора:
95нКл
Входная емкость:
3800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SUD50N06-09L-E3 SUD50N06-09L-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
9.3 мОм
Мощность макс.:
136Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
70нКл
Входная емкость:
2650пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.69252 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"