Одиночные MOSFET транзисторы

906
Корпус: DPAK/TO252
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (906)
SUD50P04-08-GE3 SUD50P04-08-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 50A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
8.1 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
159нКл
Входная емкость:
5380пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SUD50P04-09L-E3 SUD50P04-09L-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 50A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
9.4 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
150нКл
Входная емкость:
4800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SUD50P06-15-GE3 SUD50P06-15-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 50A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
15 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
165нКл
Входная емкость:
4950пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SUD50P06-15L-E3 SUD50P06-15L-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 50A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
15 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
165нКл
Входная емкость:
4950пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SUD50P10-43L-E3 SUD50P10-43L-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 37.1A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
37.1A
Сопротивление открытого канала:
43 мОм
Мощность макс.:
136Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
160нКл
Входная емкость:
4600пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
SVT078R0ND SVT078R0ND Транзистор полевой MOSFET N-канальный 68В 88A
Производитель:
UMW Youtai Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
98В
Ток стока макс.:
88А
Тип транзистора:
N-канальный
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
3 026 шт
Цена от:
от 45,54
WMO030N06LG4 WMO030N06LG4
Производитель:
Wayon
Корпус:
DPAK/TO-252AA
WMO060N06LG2 WMO060N06LG2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный напряжение сток-исток 60В, ток стока 75А
Производитель:
Wayon
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
75А
Тип транзистора:
N-канальный
WMO120N04TS WMO120N04TS
Производитель:
JG Technology Co. , Ltd.
Корпус:
DPAK/TO-252AA
WMO14N65C4 WMO14N65C4
Производитель:
Wayon
Корпус:
DPAK/TO-252AA
WMO70N03T1 WMO70N03T1 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 70 А, 50Вт
Производитель:
Wayon
Корпус:
TO-252
WMO90R500S WMO90R500S
Производитель:
Wayon
Корпус:
DPAK/TO-252AA
YJD18GP10AQ YJD18GP10AQ Транзистор MOSFET Р-кан., Uс-и макс. -100 В, Iс ном. при 25°C -18 А, Rот.(мин) 83 мОм, Rот.при Uз(ном), min 83 мОм, Rот.при Uз(ном), max 95 мОм, диап. Uз мин. -4.5 В, диап. Uз макс. -10 В, Uз макс. 20 В, Qз 20.1 нКл, Р=72 Вт, Сз=1 051пФ
Производитель:
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO., LTD.
Корпус:
TO-252
YJD40N04A YJD40N04A 40V 40A 10.6m-@10V,20A 34W 1.5V@250uA 108pF@20V N Channel 917pF@20V 23.6nC@10V -55-~+175-@(Tj) TO-252 MOSFETs ROHS
Производитель:
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO., LTD.
Корпус:
TO-252
YJD45G10AQ YJD45G10AQ Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 100 В, Iс ном. при 25°C 45 А, Rот.(мин) 14 мОм, Rот.при Uз(ном), min 14 мОм, Rот.при Uз(ном), max 17 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 19 нКл, Р=73 Вт, Сз=1 165пФ
Производитель:
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO., LTD.
Корпус:
TO-252
ZXMN10A09KTC ZXMN10A09KTC Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 5A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
TO-252-3
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
85 мОм
Мощность макс.:
2.15Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
1313пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMN10A11KTC ZXMN10A11KTC Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 2.4A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
TO-252-3
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
2.4A
Сопротивление открытого канала:
350 мОм
Мощность макс.:
2.11Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
5.4нКл
Входная емкость:
274пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMN10A25K ZXMN10A25K Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 4.2A
Производитель:
Hottech Co. Ltd
Корпус:
TO-252
ZXMN15A27K ZXMN15A27K Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 2.55A
Производитель:
Hottech Co. Ltd
Корпус:
TO-252
ZXMN20A28K ZXMN20A28K
Производитель:
Hottech Co. Ltd
Корпус:
TO-252
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.69252 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"