Одиночные MOSFET транзисторы

66
Корпус: Power56
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (66)
FDMS86101A FDMS86101A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 13A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
58нКл
Входная емкость:
4120пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS86101DC FDMS86101DC Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 14.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-PQFN (5x6), Power56
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
14.5A
Сопротивление открытого канала:
7.5 мОм
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
44нКл
Входная емкость:
3135пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS86102LZ FDMS86102LZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-PQFN (5x6), Power56
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
7A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
1305пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS86103L FDMS86103L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 12A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-PQFN (5x6), Power56
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
3710пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS86104 FDMS86104 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
7A
Сопротивление открытого канала:
24 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
16нКл
Входная емкость:
923пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS86105 FDMS86105 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В POWER56
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-PQFN (5x6), Power56
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS86150 FDMS86150 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 16A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
4.85 мОм
Мощность макс.:
2.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
62нКл
Входная емкость:
4065пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS86152 FDMS86152 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 14A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
6 мОм
Мощность макс.:
2.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
3370пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS86200 FDMS86200 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
9.6A
Сопротивление открытого канала:
18 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
46нКл
Входная емкость:
2715пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS86200DC FDMS86200DC Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 9.3A POWER 56
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
9.3A(Ta),28A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
17 мОм @ 9.3А, 10В
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
42нКл @ 10В
Входная емкость:
2955пФ @ 75В
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS86201 FDMS86201 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 120В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение сток-исток макс.:
120В
Ток стока макс.:
11.6A
Сопротивление открытого канала:
11.5 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
46нКл
Входная емкость:
2735пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS8622 FDMS8622 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 4.8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-PQFN (5x6), Power56
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
4.8A
Сопротивление открытого канала:
56 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
7нКл
Входная емкость:
400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS86250 FDMS86250 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 6.7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-PQFN (5x6), Power56
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
6.7A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
36нКл
Входная емкость:
2330пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS86252 FDMS86252 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 16A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
4.6A
Сопротивление открытого канала:
51 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
905пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS86263P FDMS86263P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 22A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
4.4A
Сопротивление открытого канала:
53 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
63нКл
Входная емкость:
3905пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS86300 FDMS86300 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 19A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
3.9 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
86нКл
Входная емкость:
7082пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS86300DC FDMS86300DC Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 24A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
24A
Сопротивление открытого канала:
3.1 мОм
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
101нКл
Входная емкость:
7005пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS86322 FDMS86322 Полевой транзистор, N-канальный, 80 В, 60 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
FDMS86500DC FDMS86500DC Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 29A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-PQFN (5x6), Power56
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
29A
Сопротивление открытого канала:
2.3 мОм
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
107нКл
Входная емкость:
7680пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS86500L FDMS86500L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 25A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-PQFN (5x6), Power56
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
25A
Сопротивление открытого канала:
2.5 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
165нКл
Входная емкость:
12530пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.69252 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"