Одиночные MOSFET транзисторы

16
Корпус: SON8
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (16)
CSD16403Q5A CSD16403Q5A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 100A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-SON (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
25В
Ток стока макс.:
28A
Сопротивление открытого канала:
2.8 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
1.9В
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
2660пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD16404Q5A CSD16404Q5A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 81A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-SON (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
25В
Ток стока макс.:
21A
Сопротивление открытого канала:
5.1 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В
Заряд затвора:
8.5нКл
Входная емкость:
1220пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD16413Q5A CSD16413Q5A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 100A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-SON (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
25В
Ток стока макс.:
24A
Сопротивление открытого канала:
3.9 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
1.9В
Заряд затвора:
11.7нКл
Входная емкость:
1780пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD17302Q5A CSD17302Q5A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 87A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-SON (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
7.9 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
1.7В
Заряд затвора:
7нКл
Входная емкость:
950пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD17306Q5A CSD17306Q5A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 100A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-SON (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
24A
Сопротивление открытого канала:
3.7 мОм
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
1.6В
Заряд затвора:
15.3нКл
Входная емкость:
2170пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD17307Q5A CSD17307Q5A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 73A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-SON (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
10.5 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
1.8В
Заряд затвора:
5.2нКл
Входная емкость:
700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD17506Q5A CSD17506Q5A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 100A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-SON (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
4 мОм
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.8В
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
1650пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD17559Q5 CSD17559Q5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 100A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-SON (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
1.15 мОм
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.7В
Заряд затвора:
51нКл
Входная емкость:
9200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD18501Q5A CSD18501Q5A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-SON (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
22A
Сопротивление открытого канала:
3.2 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
3840пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD18503Q5A CSD18503Q5A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-SON (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
4.3 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В
Заряд затвора:
32нКл
Входная емкость:
2640пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD18504Q5A CSD18504Q5A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-SON (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
6.6 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В
Заряд затвора:
19нКл
Входная емкость:
1656пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD18531Q5A CSD18531Q5A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 100A 8-Pin VSONP EP лента на катушке
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-SON (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
19A(Ta),100A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
4.6 мОм @ 22А, 10В
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В @ 250 µA
Заряд затвора:
43нКл @ 10В
Входная емкость:
3840пФ @ 30В
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD18533Q5A CSD18533Q5A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 17A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-SON (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
5.9 мОм
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В
Заряд затвора:
36нКл
Входная емкость:
2750пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD18537NQ5A CSD18537NQ5A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50A VSONP-8
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-SON (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
11A(Ta),50A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
13 мОм @ 12А, 10В
Мощность макс.:
75Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В @ 250 µA
Заряд затвора:
18нКл @ 10В
Входная емкость:
1480пФ @ 30В
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD18563Q5A CSD18563Q5A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 96A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-SON (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
6.8 мОм
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
1500пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD19533Q5A CSD19533Q5A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 100A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-SON (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
11.1 мОм
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3.4В
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
2670пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.70844 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"