Одиночные MOSFET транзисторы

92
Корпус: SOT23-6
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (92)
FDC3612 FDC3612 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 2.6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TSOT-23-6
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
2.6A
Сопротивление открытого канала:
125 мОм
Мощность макс.:
800мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
660пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDC6420C-NL-VB FDC6420C-NL-VB
Производитель:
VBsemi Semiconductor (Taiwan) Co., Ltd.
Корпус:
TSOP-6
IRF5810TRPBF IRF5810TRPBF Транзистор, HEXFET, 2P-канал 20В 2.9А [TSOP-6]
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TSOP-6
IRLTS2242TRPBF IRLTS2242TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 6.9А 2Вт
Производитель:
TECH PUBLIC
Корпус:
6-TSOP
MD06P115 MD06P115 SOT-26 MOSFETs ROHS
Производитель:
Diotec Semiconductor
Корпус:
SOT-26
MMFTP6312D MMFTP6312D 20V 2.3A 115mOhm@4.5V,2.3A 960mW 1 P-Channel SOT-26 MOSFETs ROHS
Производитель:
Diotec Semiconductor
Корпус:
SOT-26
NTGS3136PT1G NTGS3136PT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
6-TSOP
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3.7A
Сопротивление открытого канала:
33 мОм
Мощность макс.:
700мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 1.8V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
1901пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTGS3433T1G NTGS3433T1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 2.35A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
6-TSOP
Напряжение сток-исток макс.:
12В
Ток стока макс.:
2.35A
Сопротивление открытого канала:
75 мОм
Мощность макс.:
500мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
550пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTGS3441T1G NTGS3441T1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1.65A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
6-TSOP
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1.65A
Сопротивление открытого канала:
90 мОм
Мощность макс.:
500мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
480пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTGS3443T1G NTGS3443T1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2.2A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
6-TSOP
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
2.2A
Сопротивление открытого канала:
65 мОм
Мощность макс.:
500мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
565пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTGS3446T1G NTGS3446T1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 2.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
6-TSOP
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
2.5A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
500мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.2В
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
750пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTGS3455T1G NTGS3455T1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 2.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
6-TSOP
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
2.5A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
500мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
480пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTGS4141NT1G NTGS4141NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 3.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
6-TSOP
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
3.5A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
500мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
560пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Новинка
NTGS5120PT1G NTGS5120PT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 1.8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
6-TSOP
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
1.8A
Сопротивление открытого канала:
111 мОм
Мощность макс.:
600мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18.1нКл
Входная емкость:
942пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NVGS4111PT1G NVGS4111PT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3.7A автомобильного применения 6-Pin TSOP лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TSOP-6
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
3.7A
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Automotive
Тип монтажа:
Surface Mount
PMN48XP,115 PMN48XP,115 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 4.1A 6-Pin TSOP лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
6-TSOP
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
4.1A
Сопротивление открытого канала:
55 мОм
Мощность макс.:
530мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.25В
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
1000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI3410DV-T1-GE3 SI3410DV-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 8A 6-Pin TSOP лента на катушке
Производитель:
Vishay
Корпус:
6-TSOP
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
19.5 мОм
Мощность макс.:
4.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
33нКл
Входная емкость:
1295пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI3424CDV-T1-GE3 SI3424CDV-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 8A
Производитель:
Vishay
Корпус:
6-TSOP
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
26 мОм
Мощность макс.:
3.6Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
12.5нКл
Входная емкость:
405пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI3430DV-T1-GE3 SI3430DV-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.8A 6-TSOP
Производитель:
Vishay
Корпус:
6-TSOP
Напряжение сток-исток макс.:
100V
Ток стока макс.:
1.8A (Ta)
Сопротивление открытого канала:
170 mOhm @ 2.4A, 10V
Мощность макс.:
1.14W
Тип транзистора:
MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2V @ 250 µA (Min)
Заряд затвора:
6.6nC @ 10V
Тип монтажа:
Surface Mount
SI3433CDV-T1-GE3 SI3433CDV-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 6A
Производитель:
Vishay
Корпус:
6-TSOP
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
38 мОм
Мощность макс.:
3.3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"