Одиночные MOSFET транзисторы

46
Корпус: SOT363/SC70-6
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (46)
DMN65D8LDW-7 DMN65D8LDW-7 MOSFET 2N-CH 60V 180MA SOT363
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-363
DMN65D8LDWQ-13 DMN65D8LDWQ-13 60V 200mA 6Om@10V 400mW 2 N-Channel SOT-363 Single FETs, MOSFETs RoHS
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-363
DMN66D0LDWQ-7 DMN66D0LDWQ-7 60V 217mA 470mW 6Ohm@5V,0.115A 2V@250uA 2 N-Channel SOT-363 MOSFETs ROHS
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-363
DMP31D7LDW-13 DMP31D7LDW-13 Trans MOSFET P-CH 30V 0.55A 6-Pin SOT-363 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-363
FDG311N FDG311N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 1.9A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-363
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1.9A
Сопротивление открытого канала:
115 мОм
Мощность макс.:
480мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
4.5нКл
Входная емкость:
270пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDG312P FDG312P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1.2A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-363
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1.2A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
480мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
5нКл
Входная емкость:
330пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDG315N FDG315N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 2A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-363
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
2A
Сопротивление открытого канала:
120 мОм
Мощность макс.:
480мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
4нКл
Входная емкость:
220пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDG316P FDG316P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 1.6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-363
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
1.6A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
480мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
5нКл
Входная емкость:
165пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDG327N FDG327N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 1.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-363
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1.5A
Сопротивление открытого канала:
90 мОм
Мощность макс.:
380мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
6.3нКл
Входная емкость:
423пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDG327NZ FDG327NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 1.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-363
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1.5A
Сопротивление открытого канала:
90 мОм
Мощность макс.:
380мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
6нКл
Входная емкость:
412пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDG328P FDG328P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-363
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1.5A
Сопротивление открытого канала:
145 мОм
Мощность макс.:
480мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
6нКл
Входная емкость:
337пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDG332PZ FDG332PZ Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2.6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-363
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
2.6A
Сопротивление открытого канала:
95 мОм
Мощность макс.:
480мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 1.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
10.8нКл
Входная емкость:
560пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
MIC94053YC6-TR MIC94053YC6-TR Транзистор полевой MOSFET Р-канальный серия MIC94053 6В 84мОм 270мВт
Производитель:
Microchip Technology Inc.
Корпус:
SOT-363
NTJS3151PT1G NTJS3151PT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 2.7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Напряжение сток-исток макс.:
12В
Ток стока макс.:
2.7A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
625мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
400mВ
Заряд затвора:
8.6нКл
Входная емкость:
850пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTJS3157NT1G NTJS3157NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 3.2A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3.2A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
500пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
-5% Акция
NTJS4151PT1G NTJS4151PT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.3А 0.1Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3.3A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.2В
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
850пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NVJD4152PT1G NVJD4152PT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1A автомобильного применения 6-Pin SOT-363 лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-363
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1A
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Automotive
Тип монтажа:
Surface Mount
NVJD4158CT1G NVJD4158CT1G Trans MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.25A/0.88A Automotive 6-Pin SC-88 T/R
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-88
NVJS4405NT1G NVJS4405NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 1A автомобильного применения 6-Pin SOT-363 лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Напряжение сток-исток макс.:
25В
Ток стока макс.:
1A
Сопротивление открытого канала:
350 мОм
Мощность макс.:
630мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
1.5нКл
Входная емкость:
60пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI1403BDL-T1-E3 SI1403BDL-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1.4A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-363 (SC-88)
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1.4A
Сопротивление открытого канала:
150 мОм
Мощность макс.:
568мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.3В
Заряд затвора:
4.5нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"