Одиночные MOSFET транзисторы

491
Корпус: TO220
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (491)
Акция
IRF9622PBF IRF9622PBF Полевой транзистор, P-канальный, 200 В, 3.5 А, 40 Вт, 1.5 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
IRFB13N50APBF IRFB13N50APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 14А 250Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220 Isolated Tab
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
450 мОм
Мощность макс.:
250Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
81нКл
Входная емкость:
1910пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRFB4115PBF IRFB4115PBF Транзистор полевой N-канальный 150В 104А 380Вт
Производитель:
UMW Youtai Semiconductor
Корпус:
TO-220
Акция
IRFB41N15DPBF IRFB41N15DPBF Транзистор полевой N-канальный 150В 41A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
IRFB4233PBF IRFB4233PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 230В 56А 370Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220 Isolated Tab
Напряжение сток-исток макс.:
230В
Ток стока макс.:
56A
Сопротивление открытого канала:
37 мОм
Мощность макс.:
370Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
170нКл
Входная емкость:
5510пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRFB61N15DPBF IRFB61N15DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 60А 330Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220 Isolated Tab
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
60A
Сопротивление открытого канала:
32 мОм
Мощность макс.:
2.4Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
140нКл
Входная емкость:
3470пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFI3306GPBF IRFI3306GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 71A TO220
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
71A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
4.2 мОм @ 43А, 10В
Мощность макс.:
46Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 150 µA
Заряд затвора:
135нКл @ 10В
Входная емкость:
4685пФ @ 50В
Тип монтажа:
Through Hole
IRFI510GPBF IRFI510GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 4.5A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220-3
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
4.5A
Сопротивление открытого канала:
540 мОм
Мощность макс.:
27Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
8.3нКл
Входная емкость:
180пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFI520GPBF IRFI520GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 7.2A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220-3
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
7.2A
Сопротивление открытого канала:
270 мОм
Мощность макс.:
37Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
16нКл
Входная емкость:
360пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFI530GPBF IRFI530GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 9.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220-3
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
9.7A
Сопротивление открытого канала:
160 мОм
Мощность макс.:
42Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
33нКл
Входная емкость:
670пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFI540GPBF IRFI540GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 17A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220-3
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
77 мОм
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
72нКл
Входная емкость:
1700пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFI630GPBF IRFI630GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 5.9A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220-3
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
5.9A
Сопротивление открытого канала:
400 мОм
Мощность макс.:
35Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
43нКл
Входная емкость:
800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFI720GPBF IRFI720GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 2.6A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220-3
Напряжение сток-исток макс.:
400В
Ток стока макс.:
2.6A
Сопротивление открытого канала:
1.8 Ом
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
410пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFI740GLCPBF IRFI740GLCPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 5.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220-3
Напряжение сток-исток макс.:
400В
Ток стока макс.:
5.7A
Сопротивление открытого канала:
550 мОм
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
39нКл
Входная емкость:
1100пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFI9520GPBF IRFI9520GPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 5.2A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220-3
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
5.2A
Сопротивление открытого канала:
600 мОм
Мощность макс.:
37Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
390пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFI9Z34GPBF IRFI9Z34GPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 12A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
140 мОм
Мощность макс.:
42Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
1100пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFIBC30GPBF IRFIBC30GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2.5A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220-3
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
2.5A
Сопротивление открытого канала:
2.2 Ом
Мощность макс.:
35Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
31нКл
Входная емкость:
660пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFIBE20GPBF IRFIBE20GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 1.4A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220-3
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
1.4A
Сопротивление открытого канала:
6.5 Ом
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
530пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFIZ14GPBF IRFIZ14GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 8A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
27Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFIZ24GPBF IRFIZ24GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 14A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
37Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
640пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"