Одиночные MOSFET транзисторы

490
Корпус: TO220
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (490)
STP15N80K5 STP15N80K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 14A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
STP15N95K5 STP15N95K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 950В 12A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
950В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
500 мОм
Мощность макс.:
250Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP170N8F7 Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
STP17NF25 STP17NF25 MOSFET Transistor N-channel 250V STripFET II Mosfet
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Акция
STP18N55M5 STP18N55M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 550В 13А 90Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
550В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
192 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
31нКл
Входная емкость:
1260пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP18N60M2 STP18N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
STP18N65M5 STP18N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 15A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
STP18NM60ND STP18NM60ND Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 13 А
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
STP20N65M5 STP20N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 18A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
130Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
1345пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP20N90K5 STP20N90K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
900В
Ток стока макс.:
20А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
STP20NM60 STP20NM60 MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
600V
Ток стока макс.:
20A (Tc)
Сопротивление открытого канала:
290 mOhm @ 10A, 10V
Мощность макс.:
192W
Тип транзистора:
MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5V @ 250 µA
Заряд затвора:
54nC @ 10V
Входная емкость:
1500pF @ 25V
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
STP210N75F6 STP210N75F6 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120А 300Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
3.7 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
171нКл
Входная емкость:
11800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP21NM50N STP21NM50N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 550В 18А 140Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
65нКл
Входная емкость:
1950пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP23NM50N STP23NM50N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 17A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220-3
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
1330пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP24N60M2 STP24N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 18A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
1060пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP25N10F7 STP25N10F7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 25A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
25A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
920пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP25N80K5 STP25N80K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 19.5A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
19.5A
Сопротивление открытого канала:
260 мОм
Мощность макс.:
250Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP260N6F6 STP260N6F6 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
3 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
183нКл
Входная емкость:
11400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP270N8F7 STP270N8F7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 180A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
180A
Сопротивление открытого канала:
2.5 мОм
Мощность макс.:
315Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
193нКл
Входная емкость:
13600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP28N60M2 STP28N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 24A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
24A
Сопротивление открытого канала:
150 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
37нКл
Входная емкость:
1370пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.69252 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"