Одиночные MOSFET транзисторы

490
Корпус: TO220
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (490)
2SK216 2SK216 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 0.5А 30Вт (комплементарная пара 2SJ79)
Производитель:
Hitachi Ltd.
Корпус:
TO-220
Акция
50N06 50N06 Полевой транзистор N-канальный 60В 50А 120Вт
Производитель:
Noname
Корпус:
TO-220
8N80 8N80 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 8A 59Вт
Производитель:
Hottech Co. Ltd
Корпус:
TO-220
AOT12N30L AOT12N30L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В 11.5A TO220
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
300В
Ток стока макс.:
11.5A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
420 мОм @ 6А, 10В
Мощность макс.:
132Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В @ 250 µA
Заряд затвора:
16нКл @ 10В
Входная емкость:
790пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
AOT5N50 AOT5N50 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 5A TO-220
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
5A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
1.5 Ом @ 2.5А, 10В
Мощность макс.:
104Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В @ 250 µA
Заряд затвора:
19нКл @ 10В
Входная емкость:
620пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
AP40T03GP AP40T03GP Транзистор полевой N-канальный 30В 28А 31Вт
Производитель:
Advanced Power Electronics Corp.
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
28A
Мощность макс.:
31Вт
Тип транзистора:
N-канал
AUIRF2804 AUIRF2804 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 195 А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
AUIRF2807 AUIRF2807 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 75A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220 Isolated Tab
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
13 мОм
Мощность макс.:
230Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
160нКл
Входная емкость:
3820пФ
Тип монтажа:
Through Hole
AUIRF3205 AUIRF3205 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 110A TO-220AB
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220 Isolated Tab
AUIRF3805 AUIRF3805 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 160A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
160A
Сопротивление открытого канала:
3.3 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
290нКл
Входная емкость:
7960пФ
Тип монтажа:
Through Hole
AUIRF4104 AUIRF4104 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 75A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
5.5 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
100нКл
Входная емкость:
3000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
AUIRFB4610 AUIRFB4610 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 73 А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
AUIRFZ44N AUIRFZ44N Транзистор полевой MOSFET Auto Q101 N-канальный 55В 49А [TO-220AB]
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220 Isolated Tab
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
49A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
17.5 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.:
94Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
63нКл @ 10В
Входная емкость:
1470пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
AUIRFZ44Z AUIRFZ44Z Транзистор полевой MOSFET Auto Q101 N-канальный 55В 51А [TO-220AB]
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
51A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
13.9 мОм @ 31А, 10В
Мощность макс.:
80Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
43нКл @ 10В
Входная емкость:
1420пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
AUIRFZ48Z AUIRFZ48Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 61A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
61A
Сопротивление открытого канала:
11 мОм
Мощность макс.:
91Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
64нКл
Входная емкость:
1720пФ
Тип монтажа:
Through Hole
AUIRL1404Z AUIRL1404Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 160A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
160A
Сопротивление открытого канала:
3.1 мОм
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.7В
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
5080пФ
Тип монтажа:
Through Hole
CSD18504KCS CSD18504KCS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
TO-220-3
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
53A
Сопротивление открытого канала:
7 мОм
Мощность макс.:
93Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
1800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
CSD18532KCS CSD18532KCS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 100A TO220-3
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
TO-220-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
100A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
4.2 мОм @ 100А, 10В
Мощность макс.:
216Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В @ 250 µA
Заряд затвора:
53нКл @ 10В
Входная емкость:
4680пФ @ 30В
Тип монтажа:
Through Hole
CSD18537NKCS CSD18537NKCS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
TO-220-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
14 мОм
Мощность макс.:
79Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
1480пФ
Тип монтажа:
Through Hole
CSD19531KCS CSD19531KCS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 100A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
TO-220-3
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
7.7 мОм
Мощность макс.:
179Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3.3В
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
3870пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.69252 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"