Одиночные MOSFET транзисторы

25
Ток стока макс.: 6.5A
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (25)
FDD8N50NZ FDD8N50NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 6.5А 90Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
6.5A
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Наличие:
98 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 51,24
IRF9630PBF IRF9630PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 6.8А 74Вт, 0.8 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
6.5A
Сопротивление открытого канала:
800 мОм
Мощность макс.:
74Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
700пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
3 170 шт

Внешние склады:
11 657 шт
Цена от:
от 37,15
-6% Акция
IRLMS2002TRPBF IRLMS2002TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 6.5А 2Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TSOP-6
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
6.5A
Сопротивление открытого канала:
30 мОм
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.2В
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
1310пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
779 шт

Внешние склады:
6 100 шт
Цена от:
от 21,26
-6% Акция
STD7NM80 STD7NM80 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 6.5А 90Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
6.5A
Сопротивление открытого канала:
1.05 Ом
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
620пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 183 шт

Внешние склады:
2 480 шт
Цена от:
от 76,89
-6% Акция
STD9NM60N STD9NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6.5А 70Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
6.5A
Сопротивление открытого канала:
745 мОм
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
17.4нКл
Входная емкость:
452пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
127 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 47,75
STN4NF03L STN4NF03L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 4А 2.5Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
6.5A
Сопротивление открытого канала:
50 мОм
Мощность макс.:
3.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
9нКл
Входная емкость:
330пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
385 шт

Внешние склады:
8 000 шт
Цена от:
от 21,13
-6% Акция
2SJ516 2SJ516 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 250В 6.5А 35Вт
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
6.5A
Мощность макс.:
35 Вт
Тип транзистора:
P-канал
Наличие:
12 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 54,76
-6% Акция
2SJ585 2SJ585 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 250В 6.5А 30Вт
Производитель:
Sanyo Semiconductors
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
6.5A
Мощность макс.:
30 Вт
Тип транзистора:
P-канал
Наличие:
11 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 24,53
DMG6968U-7 DMG6968U-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 6.5A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
6.5A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
810мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
900mВ
Заряд затвора:
8.5нКл
Входная емкость:
151пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
21 000 шт
Цена от:
от 5,44
FDD3672 FDD3672 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 44А 28 мОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
6.5A
Сопротивление открытого канала:
28 мОм
Мощность макс.:
135Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
36нКл
Входная емкость:
1710пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 81,80
IRF9630STRLPBF IRF9630STRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 6.5A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
6.5A
Сопротивление открытого канала:
800 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
800 шт
Цена от:
от 129,73
SI4800BDY-T1-GE3 SI4800BDY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 6.5A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
6.5A
Сопротивление открытого канала:
18.5 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.8В
Заряд затвора:
13нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
10 000 шт
Цена от:
от 10,87
STF9NM60N STF9NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6.5A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
6.5A
Сопротивление открытого канала:
745 мОм
Мощность макс.:
25Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
17.4нКл
Входная емкость:
452пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
799 шт
Цена от:
от 133,39
-6% Акция
STP8NK100Z STP8NK100Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1000В 6.5А 160Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
1000В
Ток стока макс.:
6.5A
Сопротивление открытого канала:
1.85 Ом
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
102нКл
Входная емкость:
2180пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
40 шт

Внешние склады:
450 шт
Цена от:
от 232,45
FDP7N60NZ FDP7N60NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
6.5A
Сопротивление открытого канала:
1.25 Ом
Мощность макс.:
147Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
730пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDPF7N60NZ FDPF7N60NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
6.5A
Сопротивление открытого канала:
1.25 Ом
Мощность макс.:
33Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
730пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDPF8N60ZUT FDPF8N60ZUT Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220-3
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
6.5A
Сопротивление открытого канала:
1.35 Ом
Мощность макс.:
34.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
1265пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDS3590 FDS3590 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 6.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
6.5A
Сопротивление открытого канала:
39 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
1180пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDS6630A FDS6630A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 6.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8N
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
6.5A
Сопротивление открытого канала:
38 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
7нКл
Входная емкость:
460пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDT459N FDT459N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 6.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-3
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
6.5A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
1.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
365пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.40992 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"