Одиночные MOSFET транзисторы

41
Ток стока макс.: 40A
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (41)
AOD4189 AOD4189 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 40А 31Вт
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
22 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
41нКл
Входная емкость:
1870пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
84 шт

Внешние склады:
7 500 шт
Цена от:
от 21,18
IRF5210PBF IRF5210PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 40А 200Вт, 0.06 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
180нКл
Входная емкость:
2700пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 377 шт

Внешние склады:
21 832 шт
Цена от:
от 58,83
Акция
IRFH5300TRPBF IRFH5300TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 40A 8-Pin PQFN EP лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PQFN 5x6 mm
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
1.4 мОм
Мощность макс.:
3.6Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.35В
Заряд затвора:
120нКл
Входная емкость:
7200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
3 434 шт

Внешние склады:
4 814 шт
Цена от:
от 56,19
Акция
IRFIZ48NPBF IRFIZ48NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 40А 54Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
16 мОм
Мощность макс.:
54Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
89нКл
Входная емкость:
1900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
58 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 96,47
STP40NF10L STP40NF10L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 0.028 Ом, 40А 150Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
33 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
64нКл
Входная емкость:
2300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
180 шт

Внешние склады:
1 400 шт
Цена от:
от 74,51
FQA40N25 FQA40N25 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 40A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
70 мОм
Мощность макс.:
280Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
4000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 399 шт
Цена от:
от 132,87
NVMFS5C604NLT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 40A автомобильного применения 5-Pin(4+Tab) SO-FL лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
40A
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 500 шт
Цена от:
от 630,00
SI7655DN-T1-GE3 SI7655DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 40A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
3.6 мОм
Мощность макс.:
57Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
1.1В
Заряд затвора:
225нКл
Входная емкость:
6600пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 942 шт
Цена от:
от 80,53
SIR422DP-T1-GE3 SIR422DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 40A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
6.6 мОм
Мощность макс.:
34.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
48нКл
Входная емкость:
1785пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 35,48
SIR460DP-T1-GE3 SIR460DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 40A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
4.7 мОм
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В
Заряд затвора:
54нКл
Входная емкость:
2071пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 55,94
SIR466DP-T1-GE3 SIR466DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 40A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
3.5 мОм
Мощность макс.:
54Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В
Заряд затвора:
65нКл
Входная емкость:
2730пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 36,21
SIR876ADP-T1-GE3 SIR876ADP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 40A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
10.8 мОм
Мощность макс.:
62.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В
Заряд затвора:
49нКл
Входная емкость:
1630пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 763 шт
Цена от:
от 47,81
SIRA04DP-T1-GE3 SIRA04DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 40A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
2.15 мОм
Мощность макс.:
62.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
77нКл
Входная емкость:
3595пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
6 000 шт
Цена от:
от 19,46
SIRA06DP-T1-GE3 SIRA06DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 40A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
2.5 мОм
Мощность макс.:
62.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
77нКл
Входная емкость:
3595пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 54,41
SIS476DN-T1-GE3 SIS476DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 40A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
2.5 мОм
Мощность макс.:
52Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В
Заряд затвора:
77нКл
Входная емкость:
3595пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 133,64
SIS862DN-T1-GE3 SIS862DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 40A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
8.5 мОм
Мощность макс.:
52Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.6В
Заряд затвора:
32нКл
Входная емкость:
1320пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 68,44
STB40NF10LT4 STB40NF10LT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 40A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
33 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
64нКл
Входная емкость:
2300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 000 шт
Цена от:
от 83,32
STF40NF20 STF40NF20 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 40A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
75нКл
Входная емкость:
2500пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
500 шт
Цена от:
от 214,29
SUD40N08-16-E3 SUD40N08-16-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 40A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
16 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
1960пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 000 шт
Цена от:
от 171,93
AP4435GJ AP4435GJ Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 40 А, 44 Вт
Производитель:
Advanced Power Electronics Corp.
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
40A
Мощность макс.:
44 Вт
Тип транзистора:
P-канал
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.43056 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"