Одиночные MOSFET транзисторы

29
Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (29)
Акция
IRFB7530PBF IRFB7530PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 195A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
195A
Сопротивление открытого канала:
2 мОм
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.7В
Заряд затвора:
411нКл
Входная емкость:
13703пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
53 шт

Внешние склады:
380 шт
Цена от:
от 134,28
Акция
IRFB7534PBF IRFB7534PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 195А 294Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
195A
Сопротивление открытого канала:
2.4 мОм
Мощность макс.:
294Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.7В
Заряд затвора:
279нКл
Входная емкость:
10034пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
335 шт

Внешние склады:
6 400 шт
Цена от:
от 59,13
IRFB7537PBF IRFB7537PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 173A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
173A
Сопротивление открытого канала:
3.3 мОм
Мощность макс.:
230Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.7В
Заряд затвора:
210нКл
Входная емкость:
7020пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
517 шт

Внешние склады:
66 960 шт
Цена от:
от 49,77
Акция
IRFB7540PBF IRFB7540PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 110A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
110A
Сопротивление открытого канала:
5.1 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.7В
Заряд затвора:
130нКл
Входная емкость:
4555пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
89 шт

Внешние склады:
8 400 шт
Цена от:
от 40,13
IRFB7545PBF IRFB7545PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 95A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
95A
Сопротивление открытого канала:
5.9 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.7В
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
4010пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
3 930 шт

Внешние склады:
709 шт
Цена от:
от 40,88
IRFB7730PBF IRFB7730PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 195А 375Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
195A
Сопротивление открытого канала:
2.6 мОм
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.7В
Заряд затвора:
407нКл
Входная емкость:
13660пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
3 215 шт

Внешние склады:
15 727 шт
Цена от:
от 93,18
Акция
IRFB7734PBF IRFB7734PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 183А 290Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
183A
Сопротивление открытого канала:
3.5 мОм
Мощность макс.:
290Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.7В
Заряд затвора:
270нКл
Входная емкость:
10150пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
135 шт

Внешние склады:
48 000 шт
Цена от:
от 58,38
Акция
IRFB7787PBF IRFB7787PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 83A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
76A
Сопротивление открытого канала:
8.4 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.7В
Заряд затвора:
109нКл
Входная емкость:
4020пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
115 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 31,14
IRFP7530PBF IRFP7530PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 195А 341Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
195A
Сопротивление открытого канала:
2 мОм
Мощность макс.:
341Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.7В
Заряд затвора:
411нКл
Входная емкость:
13703пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
634 шт

Внешние склады:
614 шт
Цена от:
от 159,60
IRFP7537PBF IRFP7537PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 172A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
172A
Сопротивление открытого канала:
3.3 мОм
Мощность макс.:
230Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.7В
Заряд затвора:
210нКл
Входная емкость:
7020пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
274 шт

Внешние склады:
48 000 шт
Цена от:
от 132,97
Акция
IRFP7718PBF IRFP7718PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 195А 517Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
195A
Сопротивление открытого канала:
1.8 мОм
Мощность макс.:
517Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.7В
Заряд затвора:
830нКл
Входная емкость:
29550пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
387 шт

Внешние склады:
115 шт
Цена от:
от 324,19
IRFS7730TRL7PP IRFS7730TRL7PP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 240А 375Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK-7
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
240A
Сопротивление открытого канала:
2 мОм
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.7В
Заряд затвора:
428нКл
Входная емкость:
13970пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 427 шт

Внешние склады:
10 100 шт
Цена от:
от 99,90
Акция
IRFS7734TRL7PP IRFS7734TRL7PP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 183А 294Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK-7
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
197A
Сопротивление открытого канала:
3.05 мОм
Мощность макс.:
294Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.7В
Заряд затвора:
270нКл
Входная емкость:
10130пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 048 шт

Внешние склады:
800 шт
Цена от:
от 240,52
IRFS7734TRLPBF IRFS7734TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 183A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DBІPAK (TO-263AB)
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
183A
Сопротивление открытого канала:
3.5 мОм
Мощность макс.:
290Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.7В
Заряд затвора:
270нКл
Входная емкость:
10150пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
822 шт

Внешние склады:
800 шт
Цена от:
от 142,78
Акция
STD1NK60T4 STD1NK60T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 1A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
1A
Сопротивление открытого канала:
8.5 Ом
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3.7В
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
156пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 395 шт

Внешние склады:
2 628 шт
Цена от:
от 20,38
STN1HNK60 STN1HNK60 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 0.4А 3.3Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
400мА
Сопротивление открытого канала:
8.5 Ом
Мощность макс.:
3.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3.7В
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
156пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
11 807 шт

Внешние склады:
25 495 шт
Цена от:
от 11,53
IRFH7085TRPBF IRFH7085TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 23A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PQFN (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
3.2 мОм
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.7В
Заряд затвора:
165нКл
Входная емкость:
6460пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
5 557 шт
Цена от:
от 75,89
IRFS7730TRLPBF IRFS7730TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 195A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DBІPAK (TO-263AB)
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
195A
Сопротивление открытого канала:
2.6 мОм
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.7В
Заряд затвора:
407нКл
Входная емкость:
13660пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
800 шт
Цена от:
от 475,50
STQ1HNK60R-AP STQ1HNK60R-AP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 400мА
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO92-3
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
400мА
Сопротивление открытого канала:
8.5 Ом
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3.7В
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
156пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 000 шт
Цена от:
от 18,92
IRFB7546PBF IRFB7546PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 75A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
7.3 мОм
Мощность макс.:
99Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.7В
Заряд затвора:
87нКл
Входная емкость:
3000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.43524 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"