Одиночные MOSFET транзисторы

38
Заряд затвора: 11нКл
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (38)
IRLTS6342TRPBF IRLTS6342TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 8.3А 2Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TSOP-6
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
8.3A
Сопротивление открытого канала:
17.5 мОм
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.1В
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
1010пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
3 080 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 10,40
IRLL024ZTRPBF IRLL024ZTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 5А 2.8Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
380пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 973 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 40,83
Акция
IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.7А, 1.5Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
1.9A
Сопротивление открытого канала:
160 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
190пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 534 шт

Внешние склады:
2 025 шт
Цена от:
от 29,55
Акция
STN3N40K3 STN3N40K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 1.8A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
400В
Ток стока макс.:
1.8A
Сопротивление открытого канала:
3.4 Ом
Мощность макс.:
3.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
165пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 097 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 20,78
Акция
IRF9610PBF IRF9610PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 6.8А 60Вт, 0.6 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
1.8A
Сопротивление открытого канала:
3 Ом
Мощность макс.:
20Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
170пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 049 шт

Внешние склады:
20 шт
Цена от:
от 43,58
Акция
IRFL014TRPBF IRFL014TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.7А 2.0Вт, 0.2 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
2.7A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
942 шт

Внешние склады:
40 шт
Цена от:
от 23,22
IRLR7807ZTRPBF IRLR7807ZTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
43A
Сопротивление открытого канала:
13.8 мОм
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.25В
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
780пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
671 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
3 шт
Цена от:
от 29,16
IRFZ14PBF IRFZ14PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 10А 43Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
43Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
321 шт

Внешние склады:
20 шт
Цена от:
от 90,31
Акция
IRF7807ZTRPBF IRF7807ZTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 11A 8-Pin SOIC лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOIC8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
13.8 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.25В
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
770пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
203 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 35,69
Акция
IRFD014PBF IRFD014PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 1.7А 1.3Вт, 0.2 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
DIP-4
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
1.7A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
310пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
131 шт

Внешние склады:
100 шт
Цена от:
от 52,13
Акция
IRLR7807ZPBF IRLR7807ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 43А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
43A
Сопротивление открытого канала:
13.8 мОм
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.25В
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
780пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
3 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
671 шт
Цена от:
от 49,64
AO3435 AO3435 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2.9A 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
2.9A
Сопротивление открытого канала:
70 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 1.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
745пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
AOD2N60 AOD2N60 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
2A
Сопротивление открытого канала:
4.4 Ом
Мощность макс.:
56.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
325пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK9277-55A,118 BUK9277-55A,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 18A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
69 мОм
Мощность макс.:
51Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
643пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD17506Q5A CSD17506Q5A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 100A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-SON (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
4 мОм
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.8В
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
1650пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDC2512 FDC2512 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 1.4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
1.4A
Сопротивление открытого канала:
425 мОм
Мощность макс.:
800мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
344пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDC2612 FDC2612 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 1.1A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
1.1A
Сопротивление открытого канала:
725 мОм
Мощность макс.:
800мВт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
234пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD5612 FDD5612 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 5.4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
5.4A
Сопротивление открытого канала:
55 мОм
Мощность макс.:
1.6Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
660пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD770N15A FDD770N15A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 18A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
77 мОм
Мощность макс.:
56.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
765пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
FDMA430NZ FDMA430NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
MicroFET6
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
40 мОм
Мощность макс.:
2.4Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.62466 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"