Одиночные MOSFET транзисторы

21
Сопротивление открытого канала: 50 мОм
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (21)
FDC658AP FDC658AP Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30V, 4A 1,6Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
50 мОм
Мощность макс.:
800мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.1нКл
Входная емкость:
470пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 166 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 30,51
IRLML6401TRPBF IRLML6401TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 4.3А 1.3Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
Micro3™ (SOT-23/TO-236AB)
Напряжение сток-исток макс.:
12В
Ток стока макс.:
4.3A
Сопротивление открытого канала:
50 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
950mВ
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
830пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
5 213 шт

Внешние склады:
67 898 шт
Аналоги:
176 399 шт
Цена от:
от 4,02
Акция
IRLMS6802TRPBF IRLMS6802TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 5.6А 2Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TSOP-6
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
5.6A
Сопротивление открытого канала:
50 мОм
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.2В
Заряд затвора:
16нКл
Входная емкость:
1079пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
4 603 шт

Внешние склады:
6 200 шт
Цена от:
от 18,17
STD17NF03LT4 STD17NF03LT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 0.055 Ом, 17А 30Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
50 мОм
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
6.5нКл
Входная емкость:
320пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 290 шт

Внешние склады:
6 050 шт
Цена от:
от 21,13
STN4NF03L STN4NF03L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 4А 2.5Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
6.5A
Сопротивление открытого канала:
50 мОм
Мощность макс.:
3.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
9нКл
Входная емкость:
330пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
585 шт

Внешние склады:
8 000 шт
Цена от:
от 23,04
AO3414 AO3414 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 3A 3-Pin SOT-23
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
50 мОм
Мощность макс.:
1.4Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 1.8V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
6.2нКл
Входная емкость:
436пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
57 000 шт
Цена от:
от 2,47
Акция
FDS9435A FDS9435A Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 5.3А 2.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
5.3A
Сопротивление открытого канала:
50 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
528пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
38 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 29,00
IRFZ34PBF IRFZ34PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 30A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
50 мОм
Мощность макс.:
88Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
46нКл
Входная емкость:
1200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 94,24
NTF6P02T3G NTF6P02T3G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 10A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
50 мОм
Мощность макс.:
8.3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
1200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
4 011 шт
Цена от:
от 24,83
SI2315BDS-T1-E3 SI2315BDS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 3A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение сток-исток макс.:
12В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
50 мОм
Мощность макс.:
750мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
900mВ
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
715пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
9 000 шт
Цена от:
от 10,79
SI4488DY-T1-E3 SI4488DY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 3.5A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
3.5A
Сопротивление открытого канала:
50 мОм
Мощность макс.:
1.56Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
36нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 51,98
STD18NF03L STD18NF03L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 17A DPAK
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
50 мОм
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
6.5нКл
Входная емкость:
320пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 85,92
STY60NM50 STY60NM50 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 60A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
MAX247
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
60A
Сопротивление открытого канала:
50 мОм
Мощность макс.:
560Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
266нКл
Входная емкость:
7500пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
60 шт
Цена от:
от 2 781,87
ZXMN6A25KTC ZXMN6A25KTC Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
TO-252-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
7A
Сопротивление открытого канала:
50 мОм
Мощность макс.:
2.11Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
20.4нКл
Входная емкость:
1063пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
5 000 шт
Цена от:
от 26,08
FDC658P FDC658P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
50 мОм
Мощность макс.:
800мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
750пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDT434P FDT434P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
50 мОм
Мощность макс.:
1.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
19нКл
Входная емкость:
1187пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFIZ34GPBF IRFIZ34GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 20A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
50 мОм
Мощность макс.:
42Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
46нКл
Входная емкость:
1200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
NDP6020P NDP6020P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 24A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
24A
Сопротивление открытого канала:
50 мОм
Мощность макс.:
60Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
1590пФ
Тип монтажа:
Through Hole
NDT454P NDT454P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 5.9A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-3
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
5.9A
Сопротивление открытого канала:
50 мОм
Мощность макс.:
1.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.7В
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
950пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI2316BDS-T1-E3 SI2316BDS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 4.5A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
4.5A
Сопротивление открытого канала:
50 мОм
Мощность макс.:
1.66Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
9.6нКл
Входная емкость:
350пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.43056 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"