Одиночные MOSFET транзисторы

33
Сопротивление открытого канала: 45 мОм
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (33)
-6% Акция
FDT439N FDT439N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 6.3А 3Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
6.3A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
1.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
500пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 519 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 10,19
Акция
IRF7406TRPBF IRF7406TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 5.8A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
5.8A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
59нКл
Входная емкость:
1100пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
217 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 155,89
IRFL4105TRPBF IRFL4105TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 5,2A 2,1Вт 0,045Ом SOT223
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
3.7A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
660пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 571 шт

Внешние склады:
3 200 шт
Цена от:
от 37,46
Акция
IRFR4105TRPBF IRFR4105TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 27A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
27A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
68Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 108 шт

Внешние склады:
4 000 шт
Цена от:
от 41,34
IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 4.2А 0.8Вт, 0.045 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
Micro3™ (SOT-23/TO-236AB)
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
4.2A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
1.25Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.2В
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
740пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
60 772 шт

Внешние склады:
43 791 шт
Аналоги:
879 609 шт
Цена от:
от 7,26
Акция
SI2343CDS-T1-GE3 SI2343CDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 5.9A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
5.9A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
21нКл
Входная емкость:
590пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 280 шт

Внешние склады:
12 000 шт
Цена от:
от 9,31
Акция
STP30NF10 STP30NF10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 35А 115Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
115Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
55нКл
Входная емкость:
1180пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
662 шт

Внешние склады:
29 031 шт
Цена от:
от 29,52
IRLR2703TRPBF IRLR2703TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 23A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
23A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
450пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 000 шт
Цена от:
от 51,55
NTGS3446T1G NTGS3446T1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 2.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
6-TSOP
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
2.5A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
500мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.2В
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
750пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
6 000 шт
Цена от:
от 30,89
SI4447ADY-T1-GE3 SI4447ADY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 7.2A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
7.2A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
4.2Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
970пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
4 969 шт
Цена от:
от 25,20
STF40NF20 STF40NF20 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 40A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
75нКл
Входная емкость:
2500пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
550 шт
Цена от:
от 192,58
STFW69N65M5 STFW69N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 58A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-3PF
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
58A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
79Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
143нКл
Входная емкость:
6420пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
90 шт
Цена от:
от 1 410,88
STW69N65M5 STW69N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 58A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
58A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
330Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
143нКл
Входная емкость:
6420пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
90 шт
Цена от:
от 1 210,29
STY60NK30Z STY60NK30Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В 60А 450Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
MAX247
Напряжение сток-исток макс.:
300В
Ток стока макс.:
60A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
450Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
220нКл
Входная емкость:
7200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 1 017,58
AOD413 AOD413 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 12А 25Вт
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
TO-252
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
24A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14.1нКл
Входная емкость:
850пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
13 602 шт
Цена от:
от 14,05
AUIRFR4105 AUIRFR4105 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 20A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
68Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IPP65R045C7XKSA1 IPP65R045C7XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 46A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220-3
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
46A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
227Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
93нКл
Входная емкость:
4340пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IPW65R045C7FKSA1 IPW65R045C7FKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 46A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247-3
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
46A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
227Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
93нКл
Входная емкость:
4340пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRF7406PBF IRF7406PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 5.8А 2.5Вт, 0.045 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
5.8A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
59нКл
Входная емкость:
1100пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
217 шт
Цена от:
от 23,54
IRFIB41N15DPBF IRFIB41N15DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 41A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB Full-Pak
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
41A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
2520пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.43067 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"