Одиночные MOSFET транзисторы

24
Сопротивление открытого канала: 400 мОм
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (24)
BSH103,215 BSH103,215 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 0.85А 0.5Вт, 0.5 Ом
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
850мА
Сопротивление открытого канала:
400 мОм
Мощность макс.:
540мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
400mВ
Заряд затвора:
2.1нКл
Входная емкость:
83пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
7 097 шт

Внешние склады:
8 071 шт
Аналоги:
10 000 шт
Цена от:
от 15,54
DMG1012T-7 DMG1012T-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 0.63A автомобильного применения 3-Pin SOT-523 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-523
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
630мА
Сопротивление открытого канала:
400 мОм
Мощность макс.:
280мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
0.74нКл
Входная емкость:
60.67пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
5 735 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 2,34
-8% Акция
IRF630 IRF630 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9А 74Вт, 0.4 Ом
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
400 мОм
Мощность макс.:
75Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
700пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
324 шт

Внешние склады:
100 000 шт
Цена от:
от 39,24
-8% Акция
IRF630PBF IRF630PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
400 мОм
Мощность макс.:
74Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
43нКл
Входная емкость:
800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
210 шт

Внешние склады:
10 050 шт
Цена от:
от 61,08
-8% Акция
IRFP450APBF IRFP450APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 14А 190Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
400 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
64нКл
Входная емкость:
2038пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
618 шт

Внешние склады:
185 шт
Цена от:
от 118,98
-8% Акция
IRFP450LCPBF IRFP450LCPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 14А 190Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247-3
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
400 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
74нКл
Входная емкость:
2200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
87 шт

Внешние склады:
15 000 шт
Цена от:
от 138,72
-7%
IRFPC60LCPBF IRFPC60LCPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 16А 280Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
400 мОм
Мощность макс.:
280Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
120нКл
Входная емкость:
3500пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 040 шт

Внешние склады:
15 270 шт
Цена от:
от 244,08
-8% Акция
IRFPC60PBF IRFPC60PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 16А 280Вт, 0.40 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
400 мОм
Мощность макс.:
280Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
210нКл
Входная емкость:
3900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
215 шт

Внешние склады:
20 886 шт
Цена от:
от 223,80
-8% Акция
STP11NM80 STP11NM80 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 11A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
400 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
43.6нКл
Входная емкость:
1630пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
320 шт

Внешние склады:
8 222 шт
Цена от:
от 188,52
BSH103,235 BSH103,235 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 0.85А 0.75Вт
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
850мА
Сопротивление открытого канала:
400 мОм
Мощность макс.:
540мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
400mВ
Заряд затвора:
2.1нКл
Входная емкость:
83пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
10 000 шт
Аналоги:
15 168 шт
Цена от:
от 10,44
IRFP450PBF IRFP450PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 14А 190Вт, 0.4 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
400 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
150нКл
Входная емкость:
2600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
12 шт

Внешние склады:
16 140 шт
Цена от:
от 140,94
PHD9NQ20T,118 PHD9NQ20T,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 8.7A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
8.7A
Сопротивление открытого канала:
400 мОм
Мощность макс.:
88Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
24нКл
Входная емкость:
959пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
146 шт
Цена от:
от 104,58
STB11NM80T4 STB11NM80T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 11A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
400 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
43.6нКл
Входная емкость:
1630пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 1 030,08
STD7NS20T4 STD7NS20T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 7A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
7A
Сопротивление открытого канала:
400 мОм
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
540пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 38,22
STP12NK30Z STP12NK30Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В 9A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
300В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
400 мОм
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
670пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
160 шт
Цена от:
от 96,66
ZXMP6A13FTA ZXMP6A13FTA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 1.1A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
900мА
Сопротивление открытого канала:
400 мОм
Мощность макс.:
625мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
5.9нКл
Входная емкость:
219пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
5 392 шт
Цена от:
от 10,08
FCPF400N80Z FCPF400N80Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 11A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
400 мОм
Мощность макс.:
35.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
56нКл
Входная емкость:
2350пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF630 FQPF630 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 6.3A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
6.3A
Сопротивление открытого канала:
400 мОм
Мощность макс.:
38Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
550пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRF630SPBF IRF630SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
400 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
43нКл
Входная емкость:
800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF630STRLPBF IRF630STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
400 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
43нКл
Входная емкость:
800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.4598 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"