Одиночные MOSFET транзисторы

₂₁

Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (21)

IRFB4110PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 120А 370Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

4.5 мОм

Мощность макс.:

370Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

210нКл

Входная емкость:

9620пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

3 916 шт

Внешние склады:

805 шт

Цена от:

от 39,90₽

IRFP2907PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 177А 330Вт, 0.0045 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-247AC

Напряжение сток-исток макс.:

75В

Ток стока макс.:

209A

Сопротивление открытого канала:

4.5 мОм

Мощность макс.:

470Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

620нКл

Входная емкость:

13000пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

526 шт

Внешние склады:

175 шт

Цена от:

от 188,85₽

IRFP4110PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 120А 370Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-247AC

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

4.5 мОм

Мощность макс.:

370Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

210нКл

Входная емкость:

9620пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

403 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 131,36₽

Акция

IRFP2907ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 90А 310Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-247AC

Напряжение сток-исток макс.:

75В

Ток стока макс.:

90A

Сопротивление открытого канала:

4.5 мОм

Мощность макс.:

310Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

270нКл

Входная емкость:

7500пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

359 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 387,73₽

IRF2907ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 75А 330Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

75В

Ток стока макс.:

160A

Сопротивление открытого канала:

4.5 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

270нКл

Входная емкость:

7500пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

232 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 195,38₽

Акция

IRF2907ZSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 160A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

75В

Ток стока макс.:

160A

Сопротивление открытого канала:

4.5 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

270нКл

Входная емкость:

7500пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

43 шт

Внешние склады:

100 шт

Цена от:

от 385,66₽

AUIRFP2907 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 90A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-247AC

Напряжение сток-исток макс.:

75В

Ток стока макс.:

90A

Сопротивление открытого канала:

4.5 мОм

Мощность макс.:

470Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

620нКл

Входная емкость:

13000пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

CSD16340Q3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 60A

Производитель:

Texas Instruments

Корпус:

SON-8

Напряжение сток-исток макс.:

25В

Ток стока макс.:

21A

Сопротивление открытого канала:

4.5 мОм

Мощность макс.:

3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.1В

Заряд затвора:

9.2нКл

Входная емкость:

1350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB045AN08A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 90A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DBІPAK

Напряжение сток-исток макс.:

75В

Ток стока макс.:

19A

Сопротивление открытого канала:

4.5 мОм

Мощность макс.:

310Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

138нКл

Входная емкость:

6600пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDI045N10A_F102 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 120A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

I2PAK

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

4.5 мОм

Мощность макс.:

263Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

74нКл

Входная емкость:

5270пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP045N10A_F102 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 120A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

4.5 мОм

Мощность макс.:

263Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

74нКл

Входная емкость:

5270пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDPF045N10A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 67A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220-3

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

67A

Сопротивление открытого канала:

4.5 мОм

Мощность макс.:

43Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

74нКл

Входная емкость:

5270пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDS8813NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 18.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8N

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

18.5A

Сопротивление открытого канала:

4.5 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

76нКл

Входная емкость:

4145пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS8840NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 18.6A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8N

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

18.6A

Сопротивление открытого канала:

4.5 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

144нКл

Входная емкость:

7535пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF2907ZSPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 75А 300Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

75В

Ток стока макс.:

160A

Сопротивление открытого канала:

4.5 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

270нКл

Входная емкость:

7500пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

143 шт

Цена от:

от 385,66₽

IRFB3207PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 180A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

75В

Ток стока макс.:

170A

Сопротивление открытого канала:

4.5 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

260нКл

Входная емкость:

7600пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFS3207PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 170A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

75В

Ток стока макс.:

170A

Сопротивление открытого канала:

4.5 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

260нКл

Входная емкость:

7600пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRLR7833PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 140А 140Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

140A

Сопротивление открытого канала:

4.5 мОм

Мощность макс.:

140Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.3В

Заряд затвора:

50нКл

Входная емкость:

4010пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

955 шт

Цена от:

от 54,00₽

SI4122DY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 27.2A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

27.2A

Сопротивление открытого канала:

4.5 мОм

Мощность макс.:

6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

95нКл

Входная емкость:

4200пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4442DY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 7.2A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

15A

Сопротивление открытого канала:

4.5 мОм

Мощность макс.:

1.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

50нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.61748 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"