Одиночные MOSFET транзисторы

22
Сопротивление открытого канала: 75 мОм
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (22)
FDD850N10L FDD850N10L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 15А 50Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
15.7A
Сопротивление открытого канала:
75 мОм
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
28.9нКл
Входная емкость:
1465пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
327 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 64,08
IRFL024NTRPBF IRFL024NTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 2.8А 2.1Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
2.8A
Сопротивление открытого канала:
75 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18.3нКл
Входная емкость:
400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
11 283 шт

Внешние склады:
8 306 шт
Цена от:
от 25,02
-8% Акция
IRFP250NPBF IRFP250NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 30А 190Вт, 0.085 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
75 мОм
Мощность макс.:
214Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
123нКл
Входная емкость:
2159пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
3 277 шт

Внешние склады:
23 256 шт
Цена от:
от 37,56
-7%
IRFP264PBF IRFP264PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 38А 280Вт, 0.075 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
38A
Сопротивление открытого канала:
75 мОм
Мощность макс.:
280Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
210нКл
Входная емкость:
5400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 496 шт

Внешние склады:
90 шт
Цена от:
от 167,76
-8% Акция
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 17А 38Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
75 мОм
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
370пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
12 077 шт

Внешние склады:
29 411 шт
Аналоги:
2 248 шт
Цена от:
от 10,74
IRFU024NPBF IRFU024NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 17А 45Вт, 0.075 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-251AA
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
75 мОм
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
370пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 119 шт

Внешние склады:
28 929 шт
Цена от:
от 19,08
IRFP250MPBF IRFP250MPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 30A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
75 мОм
Мощность макс.:
214Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
123нКл
Входная емкость:
2159пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
8 727 шт
Цена от:
от 42,30
NTR4171PT1G NTR4171PT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 2.2A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
2.2A
Сопротивление открытого канала:
75 мОм
Мощность макс.:
480мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.4В
Заряд затвора:
15.6нКл
Входная емкость:
720пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
6 988 шт
Цена от:
от 7,44
SPD30P06PG SPD30P06PG Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 30A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
P-TO252-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
75 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
48нКл
Входная емкость:
1535пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 99,06
STP46NF30 STP46NF30 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В 42А 300Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
300В
Ток стока макс.:
42A
Сопротивление открытого канала:
75 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
90нКл
Входная емкость:
3200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
50 шт
Цена от:
от 260,40
ATP301-TL-H ATP301-TL-H Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 28A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
ATPAK
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
28A
Сопротивление открытого канала:
75 мОм
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Заряд затвора:
73нКл
Входная емкость:
4000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRFR024N AUIRFR024N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 17A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
75 мОм
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
370пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDC654P FDC654P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3.6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
3.6A
Сопротивление открытого канала:
75 мОм
Мощность макс.:
800мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
9нКл
Входная емкость:
298пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQB34N20LTM FQB34N20LTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 31A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
31A
Сопротивление открытого канала:
75 мОм
Мощность макс.:
3.13Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
72нКл
Входная емкость:
3900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQP34N20 FQP34N20 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 31A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
31A
Сопротивление открытого канала:
75 мОм
Мощность макс.:
180Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
78нКл
Входная емкость:
3100пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IPW60R075CPFKSA1 IPW60R075CPFKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 39A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
39A
Сопротивление открытого канала:
75 мОм
Мощность макс.:
313Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
116нКл
Входная емкость:
4000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFL024NPBF IRFL024NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 2.8А 2.1Вт, 0.075 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
2.8A
Сопротивление открытого канала:
75 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18.3нКл
Входная емкость:
400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
19 589 шт
Цена от:
от 25,02
IRFR024NTRLPBF IRFR024NTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 17A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
75 мОм
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
370пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
MMSF3P02HDR2G MMSF3P02HDR2G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 5.6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8N
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
5.6A
Сопротивление открытого канала:
75 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
46нКл
Входная емкость:
1400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTGS3433T1G NTGS3433T1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 2.35A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
6-TSOP
Напряжение сток-исток макс.:
12В
Ток стока макс.:
2.35A
Сопротивление открытого канала:
75 мОм
Мощность макс.:
500мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
550пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.4644 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"