Одиночные MOSFET транзисторы

₂₂

Мощность макс.: 104Вт

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Chassis Mount (8)
Through Hole (1863)
Surface Mount (3356)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (22)

IRFH7440TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 85A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PQFN 5x6 mm

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

85A

Сопротивление открытого канала:

2.4 мОм

Мощность макс.:

104Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.9В

Заряд затвора:

138нКл

Входная емкость:

4574пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

2 889 шт

Внешние склады:

10 000 шт

Цена от:

от 23,66₽

SI7145DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 60A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

60A

Сопротивление открытого канала:

2.6 мОм

Мощность макс.:

104Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.3В

Заряд затвора:

413нКл

Входная емкость:

15660пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

2 002 шт

Внешние склады:

8 543 шт

Цена от:

от 99,13₽

SI7135DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 60A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

60A

Сопротивление открытого канала:

3.9 мОм

Мощность макс.:

104Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

250нКл

Входная емкость:

8650пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

1 899 шт

Аналоги:

1 717 шт

Цена от:

от 68,04₽

SI7137DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 60A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

60A

Сопротивление открытого канала:

1.95 мОм

Мощность макс.:

104Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

1.4В

Заряд затвора:

585нКл

Входная емкость:

20000пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

14 343 шт

Цена от:

от 38,42₽

SI7141DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 60A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

60A

Сопротивление открытого канала:

1.9 мОм

Мощность макс.:

104Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.3В

Заряд затвора:

400нКл

Входная емкость:

14300пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

3 000 шт

Цена от:

от 154,72₽

SI7157DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 60A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

60A

Сопротивление открытого канала:

1.6 мОм

Мощность макс.:

104Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.4В

Заряд затвора:

625нКл

Входная емкость:

22000пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

3 000 шт

Цена от:

от 105,37₽

SIR404DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 60A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

60A

Сопротивление открытого канала:

1.6 мОм

Мощность макс.:

104Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

97нКл

Входная емкость:

8130пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

3 000 шт

Цена от:

от 295,22₽

SIR470DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 60A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

60A

Сопротивление открытого канала:

2.3 мОм

Мощность макс.:

104Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

155нКл

Входная емкость:

5660пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

3 000 шт

Цена от:

от 359,50₽

SIRA00DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 100A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

100A

Сопротивление открытого канала:

1 мОм

Мощность макс.:

104Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.2В

Заряд затвора:

220нКл

Входная емкость:

11700пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

3 000 шт

Цена от:

от 88,46₽

AOT5N50 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 5A TO-220

Производитель:

Alpha & Omega Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

5A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

1.5 Ом @ 2.5А, 10В

Мощность макс.:

104Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В @ 250 µA

Заряд затвора:

19нКл @ 10В

Входная емкость:

620пФ @ 25В

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IPW65R280E6FKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 700В 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-247

Напряжение сток-исток макс.:

650В

Ток стока макс.:

13.8A

Сопротивление открытого канала:

280 мОм

Мощность макс.:

104Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.5В

Заряд затвора:

45нКл

Входная емкость:

950пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

SI7164DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 60A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

60A

Сопротивление открытого канала:

6.25 мОм

Мощность макс.:

104Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

75нКл

Входная емкость:

2830пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7174DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 60A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

75В

Ток стока макс.:

60A

Сопротивление открытого канала:

7 мОм

Мощность макс.:

104Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

72нКл

Входная емкость:

2770пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIE822DF-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 50A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PolarPAKВ®10-(S)

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

50A

Сопротивление открытого канала:

3.4 мОм

Мощность макс.:

104Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

78нКл

Входная емкость:

4200пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIHD5N50D-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 5.3A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

5.3A

Сопротивление открытого канала:

1.5 Ом

Мощность макс.:

104Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

325пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIHP5N50D-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 5.3A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

5.3A

Сопротивление открытого канала:

1.5 Ом

Мощность макс.:

104Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

325пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

SIR440DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 60A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

60A

Сопротивление открытого канала:

1.55 мОм

Мощность макс.:

104Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

150нКл

Входная емкость:

6000пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIR640ADP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 60A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

60A

Сопротивление открытого канала:

2 мОм

Мощность макс.:

104Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

90нКл

Входная емкость:

4240пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIR804DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 60A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

60A

Сопротивление открытого канала:

7.2 мОм

Мощность макс.:

104Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

76нКл

Входная емкость:

2450пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIR870ADP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 60A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

60A

Сопротивление открытого канала:

6.6 мОм

Мощность макс.:

104Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

80нКл

Входная емкость:

2866пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.53599 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"