Одиночные MOSFET транзисторы

236
Напряжение сток-исток макс.: 650В
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (236)
SIHF12N65E-GE3 SIHF12N65E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 12A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220 Full Pack
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
33Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
70нКл
Входная емкость:
1224пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SIHG24N65E-GE3 SIHG24N65E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 24A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
24A
Сопротивление открытого канала:
145 мОм
Мощность макс.:
250Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
122нКл
Входная емкость:
2740пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SIHG64N65E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 64A
Производитель:
Vishay
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
64A
Тип транзистора:
N-канал
SIHP24N65E-GE3 SIHP24N65E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 24A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
24A
Сопротивление открытого канала:
145 мОм
Мощность макс.:
250Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
122нКл
Входная емкость:
2740пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
SPA04N60C3 SPA04N60C3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 4.5А 31Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
4.5A
Сопротивление открытого канала:
950 мОм
Мощность макс.:
31Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
490пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SPA04N60C3XKSA1 SPA04N60C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 4.5А 31Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
4.5A
Мощность макс.:
31Вт
Тип транзистора:
N-канал
SPA15N60CFDXKSA1 SPA15N60CFDXKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 330мОм 63нКл TO-220-3FP
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Сопротивление открытого канала:
330мОм
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
SPB04N60C3ATMA1 SPB04N60C3ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 4.5A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO263-3
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
4.5A
Сопротивление открытого канала:
950 мОм
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
490пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SPD03N60C3ATMA1 SPD03N60C3ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 3.2A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO252-3
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
3.2A
Сопротивление открытого канала:
1.4 Ом
Мощность макс.:
38Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SPP02N60C3XKSA1 SPP02N60C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 1.8A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO220-3
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
1.8A
Сопротивление открытого канала:
3 Ом
Мощность макс.:
25Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
12.5нКл
Входная емкость:
200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SPP03N60C3XKSA1 SPP03N60C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 3.2A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO220-3
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
3.2A
Сопротивление открытого канала:
1.4 Ом
Мощность макс.:
38Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SPP07N60C3XKSA1 SPP07N60C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 7.3A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO220-3
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
7.3A
Сопротивление открытого канала:
600 мОм
Мощность макс.:
83Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
27нКл
Входная емкость:
790пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SPP11N60S5XKSA1 SPP11N60S5XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 11A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO220-3
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
54нКл
Входная емкость:
1460пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SPP15N65C3XKSA1 SPP15N65C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 15А 156Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
280 мОм
Мощность макс.:
156Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
63нКл
Входная емкость:
1600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SPP20N60CFDXKSA1 SPP20N60CFDXKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 20А 200Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
20.7A
Сопротивление открытого канала:
220 мОм
Мощность макс.:
208Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
124нКл
Входная емкость:
2400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SPP24N60C3XKSA1 SPP24N60C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 24.3A TO-220
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220-3
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
24.3A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
160 мОм @ 15.4А, 10В
Мощность макс.:
240Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В @ 1.2mA
Заряд затвора:
135нКл @ 10В
Входная емкость:
3000пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
SPW15N60C3FKSA1 SPW15N60C3FKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
15А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
SPW47N65C3FKSA1 SPW47N65C3FKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
47А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
STB18N65M5 STB18N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 15A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
220 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
31нКл
Входная емкость:
1240пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STB31N65M5 STB31N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 22A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
22A
Сопротивление открытого канала:
148 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
1865пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.4644 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"