Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
229
Особенности:
Standard
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (229)
IRFSL3306PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A TO-262
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
120A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
4.2 мОм @ 75А, 10В
Мощность макс.:
230Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 150 µA
Заряд затвора:
120нКл @ 10В
Входная емкость:
4520пФ @ 50В
Тип монтажа:
Through Hole
IRFSL4127PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 72A TO-262
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
72A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
22 мОм @ 44А, 10В
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
150нКл @ 10В
Входная емкость:
5380пФ @ 50В
Тип монтажа:
Through Hole
IRFSL7434PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 195A TO262
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
195A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
1.6 мОм @ 100А, 10В
Мощность макс.:
294Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В @ 250 µA
Заряд затвора:
324нКл @ 10В
Входная емкость:
10820пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
IRFU1205PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 44A I-PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
I-Pak
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
44A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
27 мОм @ 26А, 10В
Мощность макс.:
107Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
65нКл @ 10В
Входная емкость:
1300пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
IRFU13N20DPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 13A I-PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
I-Pak
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
13A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
235 мОм @ 8А, 10В
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В @ 250 µA
Заряд затвора:
38нКл @ 10В
Входная емкость:
830пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
IRFU2405PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 56A I-PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
I-Pak
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
56A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
16 мОм @ 34А, 10В
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
110нКл @ 10В
Входная емкость:
2430пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
IRFU6215PBF
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 13A I-PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
I-Pak
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
13A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
295 мОм @ 6.6А, 10В
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
66нКл @ 10В
Входная емкость:
860пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
IRFU7540PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 90A I-PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
I-Pak
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
90A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
4.8 мОм @ 66А, 10В
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
3.7В @ 100 µA
Заряд затвора:
130нКл @ 10В
Входная емкость:
4360пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
IRFU7546PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 56A I-PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
I-Pak
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
56A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
7.9 мОм @ 43А, 10В
Мощность макс.:
99Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
3.7В @ 100 µA
Заряд затвора:
87нКл @ 10В
Входная емкость:
3020пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
IRFU7746PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 56A I-PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
I-Pak
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
56A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
11.2 мОм @ 35А, 10В
Мощность макс.:
99Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
3.7В @ 100 µA
Заряд затвора:
89нКл @ 10В
Входная емкость:
3107пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
IRFZ34NSTRRPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 29A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
29A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
40 мОм @ 16А, 10В
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
34нКл @ 10В
Входная емкость:
700пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFZ44VZPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 57A TO-220AB
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
57A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
12 мОм @ 34А, 10В
Мощность макс.:
92Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
65нКл @ 10В
Входная емкость:
1690пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
IRFZ44VZSPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 57A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
57A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
12 мОм @ 34А, 10В
Мощность макс.:
92Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
65нКл @ 10В
Входная емкость:
1690пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFZ44ZLPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 51A TO-262
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
51A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
13.9 мОм @ 31А, 10В
Мощность макс.:
80Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
43нКл @ 10В
Входная емкость:
1420пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
IRFZ46NLPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 53A TO-262
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
53A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
16.5 мОм @ 28А, 10В
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
72нКл @ 10В
Входная емкость:
1696пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
IXFK160N30T
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В 160A TO-264
Производитель:
Littelfuse
Корпус:
TO-264AA (IXFK)
Напряжение сток-исток макс.:
300В
Ток стока макс.:
160A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
19 мОм @ 60А, 10В
Мощность макс.:
1390Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 8mA
Заряд затвора:
335нКл @ 10В
Входная емкость:
28000пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
IXFK200N10P
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 200A
Производитель:
Littelfuse
Корпус:
TO-264AA (IXFK)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
200A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
7.5 мОм @ 100А, 10В
Мощность макс.:
830Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 8mA
Заряд затвора:
235нКл @ 10В
Входная емкость:
7600пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
IXFX64N60P
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 64A PLUS247
Производитель:
Littelfuse
Корпус:
PLUS247[тм]-3
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
64A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
96 мОм @ 500mА, 10В
Мощность макс.:
1040Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 8mA
Заряд затвора:
200нКл @ 10В
Входная емкость:
12000пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
IXTH10P60
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 600В 10A TO-247AD
Производитель:
Littelfuse
Корпус:
TO-247AD
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
10A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
1 Ом @ 5А, 10В
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
160нКл @ 10В
Входная емкость:
4700пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
IXTH75N10L2
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 75A TO-247
Производитель:
Littelfuse
Корпус:
TO-247 (IXTH)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
75A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
21 мОм @ 500mА, 10В
Мощность макс.:
400Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В @ 250 µA
Заряд затвора:
215нКл @ 10В
Входная емкость:
8100пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара