Одиночные MOSFET транзисторы

₂₁₃

Пороговое напряжение включения макс.: 2В

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (213)

IRLU024PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 14A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-251AA

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

14A

Сопротивление открытого канала:

100 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

18нКл

Входная емкость:

870пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRLZ24PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 17A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

17A

Сопротивление открытого канала:

100 мОм

Мощность макс.:

60Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

18нКл

Входная емкость:

870пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRLZ34NSPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 30A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

30A

Сопротивление открытого канала:

35 мОм

Мощность макс.:

3.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

25нКл

Входная емкость:

880пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

1 190 шт

Цена от:

от 51,68₽

Акция

IRLZ44NSPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 47А, 110Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

47A

Сопротивление открытого канала:

22 мОм

Мощность макс.:

3.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

48нКл

Входная емкость:

1700пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

2 594 шт

Цена от:

от 53,02₽

IRLZ44SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

50A

Сопротивление открытого канала:

28 мОм

Мощность макс.:

3.7Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

66нКл

Входная емкость:

3300пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRLZ44STRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

50A

Сопротивление открытого канала:

28 мОм

Мощность макс.:

3.7Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

66нКл

Входная емкость:

3300пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

MMSF3P02HDR2G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 5.6A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8N

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

5.6A

Сопротивление открытого канала:

75 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

46нКл

Входная емкость:

1400пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

MTB50P03HDLT4G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 50A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

50A

Сопротивление открытого канала:

25 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

100нКл

Входная емкость:

4900пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

MTD3055VL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 12A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

1.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

10нКл

Входная емкость:

570пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NDB6060L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 48A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-263AB

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

48A

Сопротивление открытого канала:

20 мОм

Мощность макс.:

100Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

60нКл

Входная емкость:

2000пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NDS351N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 1.1A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

3-SSOT

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

1.1A

Сопротивление открытого канала:

160 мОм

Мощность макс.:

460мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

3.5нКл

Входная емкость:

140пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NDS355N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 1.6A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

3-SSOT

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

1.6A

Сопротивление открытого канала:

85 мОм

Мощность макс.:

460мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

5нКл

Входная емкость:

245пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD110N02RT4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 24В 12.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

24В

Ток стока макс.:

12.5A

Сопротивление открытого канала:

4.6 мОм

Мощность макс.:

1.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

28нКл

Входная емкость:

3440пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD14N03RT4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 2.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK-3

Напряжение сток-исток макс.:

25В

Ток стока макс.:

2.5A

Сопротивление открытого канала:

95 мОм

Мощность макс.:

1.04Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

1.8нКл

Входная емкость:

115пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD20N03L27T4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 20A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK-3

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

20A

Сопротивление открытого канала:

27 мОм

Мощность макс.:

1.75Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

18.9нКл

Входная емкость:

1260пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD24N06LT4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 24A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

24A

Сопротивление открытого канала:

45 мОм

Мощность макс.:

1.36Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

32нКл

Входная емкость:

1140пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD3055L104-1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 12A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-251

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

104 мОм

Мощность макс.:

1.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

440пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

NTD6415ANLT4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 23A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

23A

Сопротивление открытого канала:

52 мОм

Мощность макс.:

83Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

35нКл

Входная емкость:

1024пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTMFS5C604NLT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 289A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

5-DFN (5x6)

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

38A

Сопротивление открытого канала:

1.2 мОм

Мощность макс.:

3.2Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

120нКл

Входная емкость:

8900пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTMFS5C646NLT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 32A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

5-DFN (5x6)

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

19A

Сопротивление открытого канала:

4.7 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

33.7нКл

Входная емкость:

2164пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.40473 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"