Одиночные MOSFET транзисторы

330
Напряжение сток-исток макс.: 40В
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (330)
FDS8840NZ FDS8840NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 18.6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8N
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
18.6A
Сопротивление открытого канала:
4.5 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
144нКл
Входная емкость:
7535пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDS8842NZ FDS8842NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 14.9A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8N
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
14.9A
Сопротивление открытого канала:
7 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
73нКл
Входная емкость:
3845пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDWS9508L-F085 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 80A автомобильного применения 8-Pin DFN EP лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
80А
Тип транзистора:
P-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
FDWS9509L-F085 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 65A автомобильного применения 8-Pin DFN EP лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
65А
Тип транзистора:
P-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
IPB015N04LGATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
120А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
IPB015N04NGATMA1 IPB015N04NGATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
120A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
IPB120N04S401ATMA1 IPB120N04S401ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
120A
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
907 шт
Цена от:
от 22,65
IPB120N04S402ATMA1 IPB120N04S402ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
120A
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Тип монтажа:
Surface Mount
IPB180N04S4H0ATMA1 IPB180N04S4H0ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 180A автомобильного применения 7-Pin(6+Tab) D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO263-7-3
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
180A
Сопротивление открытого канала:
1.1 мОм
Мощность макс.:
250Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
225нКл
Входная емкость:
17940пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IPB180P04P4L02ATMA1 IPB180P04P4L02ATMA1 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 180A автомобильного применения 7-Pin(6+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
180А
Тип транзистора:
P-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
IPB80N04S403ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 80A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
80А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
IPB80N04S404ATMA1 IPB80N04S404ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 80A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
80А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
IPB80P04P4L04ATMA1 IPB80P04P4L04ATMA1 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 80A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
80А
Тип транзистора:
P-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
IPD100N04S402ATMA1 IPD100N04S402ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 100A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO252-3-313
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
2 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
118нКл
Входная емкость:
9430пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IPD50N04S308ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 50A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
7.5 мОм
Мощность макс.:
68Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±20В
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
2350пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IPD50P04P413ATMA1 IPD50P04P413ATMA1 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 50A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
12.6 мОм
Мощность макс.:
58Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±20В
Заряд затвора:
51нКл
Входная емкость:
3670пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IPD50P04P4L11ATMA1 IPD50P04P4L11ATMA1 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 50A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO252-3-313
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
10.6 мОм
Мощность макс.:
58Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
59нКл
Входная емкость:
3900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IPD85P04P407ATMA1 IPD85P04P407ATMA1 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 85A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
85А
Тип транзистора:
P-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
IPD90N04S403ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 90A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
90A
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Тип монтажа:
Surface Mount
IPD90N04S404ATMA1 IPD90N04S404ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 90A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
90A
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.59762 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"