Одиночные MOSFET транзисторы

226
Напряжение сток-исток макс.: 650В
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (226)
STP30N65M5 STP30N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 21А 0.139 Ом, 30Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
22A
Сопротивление открытого канала:
139 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
64нКл
Входная емкость:
2880пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP31N65M5 STP31N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 22A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
22A
Сопротивление открытого канала:
148 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
816пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP32N65M5 STP32N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 24А 0.119 Ом, 35Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
24A
Сопротивление открытого канала:
119 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
72нКл
Входная емкость:
3320пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP34N65M5 STP34N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 28A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
28A
Сопротивление открытого канала:
110 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
62.5нКл
Входная емкость:
2700пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP35N65M5 STP35N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 27А 160Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
27A
Сопротивление открытого канала:
98 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
83нКл
Входная емкость:
3750пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP38N65M5 STP38N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 30A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
95 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
71нКл
Входная емкость:
3000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP42N65M5 STP42N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 33А 190Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
33A
Сопротивление открытого канала:
79 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
100нКл
Входная емкость:
4650пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
STP45N65M5 STP45N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 35А 208Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
35A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
78 мОм @ 19.5А, 10В
Мощность макс.:
208Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
91нКл @ 10В
Входная емкость:
3375пФ @ 100В
Тип монтажа:
Through Hole
STP57N65M5 STP57N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 42A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
42A
Сопротивление открытого канала:
63 мОм
Мощность макс.:
250Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
98нКл
Входная емкость:
4200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
STP8N65M5 STP8N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 7А 0.56 Ом, 25Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
7A
Сопротивление открытого канала:
600 мОм
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
690пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STU12N65M5 STU12N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 8.5А 0.430 Ом
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
8.5A
Сопротивление открытого канала:
430 мОм
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
-6% Акция
STU8N65M5 STU8N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 7A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
7A
Сопротивление открытого канала:
600 мОм
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
690пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STW28N65M2 STW28N65M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
ST Microelectronics
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
20А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
STW30N65M5 STW30N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 22А
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
22A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
139 мОм @ 11А, 10В
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
64нКл @ 10В
Входная емкость:
2880пФ @ 100В
Тип монтажа:
Through Hole
STW31N65M5 STW31N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 22A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
22A
Сопротивление открытого канала:
148 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
816пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STW34N65M5 STW34N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 28A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
28A
Сопротивление открытого канала:
110 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
62.5нКл
Входная емкость:
2700пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STW38N65M5 STW38N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 30A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
95 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
71нКл
Входная емкость:
3000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STW45N65M5 STW45N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 35A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
78 мОм
Мощность макс.:
208Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
91нКл
Входная емкость:
3375пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STW57N65M5 STW57N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 42A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
42A
Сопротивление открытого канала:
63 мОм
Мощность макс.:
250Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
98нКл
Входная емкость:
4200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STW62N65M5 STW62N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
46A
Сопротивление открытого канала:
49 мОм
Мощность макс.:
330Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
142нКл
Входная емкость:
6420пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.59762 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"