Одиночные MOSFET транзисторы

₂₄₅

Напряжение сток-исток макс.: 200В

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (245)

IRFSL4127PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 72A TO-262

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-262

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

72A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

22 мОм @ 44А, 10В

Мощность макс.:

375Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

5В @ 250 µA

Заряд затвора:

150нКл @ 10В

Входная емкость:

5380пФ @ 50В

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFU13N20DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 13A I-PAK

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

I-Pak

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

13A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

235 мОм @ 8А, 10В

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

5.5В @ 250 µA

Заряд затвора:

38нКл @ 10В

Входная емкость:

830пФ @ 25В

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFU210PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 2.6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-251AA

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

2.6A

Сопротивление открытого канала:

1.5 Ом

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

8.2нКл

Входная емкость:

140пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFU220NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 5A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-251

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

600 мОм

Мощность макс.:

43Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

23нКл

Входная емкость:

300пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFU9210PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 1.9A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-251AA

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

1.9A

Сопротивление открытого канала:

3 Ом

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

8.9нКл

Входная емкость:

170пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFU9220PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 3.6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-251AA

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

3.6A

Сопротивление открытого канала:

1.5 Ом

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

340пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRL640SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 17А 3.1Вт, 0.18 Ом

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

17A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

66нКл

Входная емкость:

1800пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

3 271 шт

Цена от:

от 88,73₽

IRL640STRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 17A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

17A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

66нКл

Входная емкость:

1800пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

3 271 шт

Цена от:

от 113,97₽

IRLI640GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9.9A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220-3

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

9.9A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

40Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

66нКл

Входная емкость:

1800пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IXFR140N20P Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 90A ISOPLUS 247

Производитель:

Littelfuse

Корпус:

TO-247-3

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

90А

Тип транзистора:

N-канальный

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IXTP26P20P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 26А 300Вт

Производитель:

Littelfuse

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

26A

Сопротивление открытого канала:

170 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

56нКл

Входная емкость:

2740пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

PSMN102-200Y,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 21.5A

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

LFPAK

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

21.5A

Сопротивление открытого канала:

102 мОм

Мощность макс.:

113Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

30.7нКл

Входная емкость:

1568пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4464DY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 1.7A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

1.7A

Сопротивление открытого канала:

240 мОм

Мощность макс.:

1.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

18нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4464DY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 1.7A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

1.7A

Сопротивление открытого канала:

240 мОм

Мощность макс.:

1.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

18нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4490DY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 2.85A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

2.85A

Сопротивление открытого канала:

80 мОм

Мощность макс.:

1.56Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

42нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

540 шт

Цена от:

от 87,60₽

SI7119DN-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 3.8A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® 1212-8

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

3.8A

Сопротивление открытого канала:

1.05 Ом

Мощность макс.:

52Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

25нКл

Входная емкость:

666пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7431DP-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 2.2A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

2.2A

Сопротивление открытого канала:

174 мОм

Мощность макс.:

1.9Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

135нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7450DP-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 3.2A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

3.2A

Сопротивление открытого канала:

80 мОм

Мощность макс.:

1.9Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

42нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7464DP-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 1.8A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

1.8A

Сопротивление открытого канала:

240 мОм

Мощность макс.:

1.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

18нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7820DN-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 1.7A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® 1212-8

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

1.7A

Сопротивление открытого канала:

240 мОм

Мощность макс.:

1.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

18нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.59762 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"