Одиночные MOSFET транзисторы

674
Напряжение сток-исток макс.: 100В
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (674)
AUIRF540Z AUIRF540Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 36A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
36A
Сопротивление открытого канала:
26.5 мОм
Мощность макс.:
92Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
63нКл
Входная емкость:
1770пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
AUIRF540ZS AUIRF540ZS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 36A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
36A
Сопротивление открытого канала:
26.5 мОм
Мощность макс.:
92Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
63нКл
Входная емкость:
1770пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
AUIRF540ZSTRL AUIRF540ZSTRL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 36A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DВІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
36A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
26.5 мОм @ 22А, 10В
Мощность макс.:
92Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
63нКл @ 10В
Входная емкость:
1770пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRF7647S2TR AUIRF7647S2TR Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 5.9A автомобильного применения 7-Pin Direct-FET SC лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DIRECTFET[тм] SC
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
5.9A
Сопротивление открытого канала:
31 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
21нКл
Входная емкость:
910пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRF7769L2TR AUIRF7769L2TR Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 375A DIRECTFET
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DIRECTFET
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
375A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
3.5 мОм @ 74А, 10В
Мощность макс.:
3.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
300нКл @ 10В
Входная емкость:
11560пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRF9540N Транзистор полевой MOSFET Auto Q101 P-канальный -100В -23А [TO-220AB]
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
23А
Тип транзистора:
P-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
AUIRFR120Z AUIRFR120Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 8.7A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
8.7A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
35Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
310пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRFR3710Z AUIRFR3710Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 42A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
42A
Сопротивление открытого канала:
18 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
100нКл
Входная емкость:
2930пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRFR3710ZTRL AUIRFR3710ZTRL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 56A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
42A
Сопротивление открытого канала:
18 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
100нКл
Входная емкость:
2930пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRFR540Z AUIRFR540Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 35A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
28.5 мОм
Мощность макс.:
91Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
59нКл
Входная емкость:
1690пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRFR5410 AUIRFR5410 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 13A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
205 мОм
Мощность макс.:
66Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
58нКл
Входная емкость:
760пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRFR5410TRL AUIRFR5410TRL Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 13A DPAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
13A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
205 мОм @ 7.8А, 10В
Мощность макс.:
66Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
58нКл @ 10В
Входная емкость:
760пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRFS4010 AUIRFS4010 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 180A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DВІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
180A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
4.7 мОм @ 106А, 10В
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
215нКл @ 10В
Входная емкость:
9575пФ @ 50В
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRFS4010-7P AUIRFS4010-7P Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 190A D2PAK-7P
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK-7
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
190A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
4 мОм @ 110А, 10В
Мощность макс.:
380Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
230нКл @ 10В
Входная емкость:
9830пФ @ 50В
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRFS4010-7TRL AUIRFS4010-7TRL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 190A автомобильного применения 7-Pin(6+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK-7
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
190A
Сопротивление открытого канала:
4 мОм
Мощность макс.:
380Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
230нКл
Входная емкость:
9830пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRFS4310 AUIRFS4310 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 75A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
7 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
250нКл
Входная емкость:
7670пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRFS4410ZTRL AUIRFS4410ZTRL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 97A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DВІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
97A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
9 мОм @ 58А, 10В
Мощность макс.:
230Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 150 µA
Заряд затвора:
120нКл @ 10В
Входная емкость:
4820пФ @ 50В
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRFS4610 AUIRFS4610 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 73A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
73A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
14 мОм @ 44А, 10В
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 100 µA
Заряд затвора:
140нКл @ 10В
Входная емкость:
3550пФ @ 50В
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRFSL4010 AUIRFSL4010 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 180A TO262
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
180A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
4.7 мОм @ 106А, 10В
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
215нКл @ 10В
Входная емкость:
9575пФ @ 50В
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
AUIRLR120N AUIRLR120N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 10A DPAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
10A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
185 мОм @ 6А, 10В
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2В @ 250 µA
Заряд затвора:
20нКл @ 5В
Входная емкость:
440пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
192 шт
Цена от:
от 151,20
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.69252 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"