Одиночные MOSFET транзисторы

279
Напряжение сток-исток макс.: 55В
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (279)
IRFU1205PBF IRFU1205PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 44A I-PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
I-Pak
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
44A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
27 мОм @ 26А, 10В
Мощность макс.:
107Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
65нКл @ 10В
Входная емкость:
1300пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
IRFU2405PBF IRFU2405PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 56A I-PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
I-Pak
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
56A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
16 мОм @ 34А, 10В
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
110нКл @ 10В
Входная емкость:
2430пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
IRFU4105ZPBF IRFU4105ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный Si 55В 30A 3-Pin(3+Tab) IPAK туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
30А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFU5505PBF IRFU5505PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 18A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
110 мОм
Мощность макс.:
57Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
32нКл
Входная емкость:
650пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRFZ34NSPBF IRFZ34NSPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 29A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
29A
Сопротивление открытого канала:
40 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFZ34NSTRLPBF IRFZ34NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
29A
Сопротивление открытого канала:
40 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFZ34NSTRRPBF IRFZ34NSTRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 29A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
29A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
40 мОм @ 16А, 10В
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
34нКл @ 10В
Входная емкость:
700пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRFZ44NSPBF IRFZ44NSPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 49А 110Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
49A
Сопротивление открытого канала:
17.5 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
63нКл
Входная емкость:
1470пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 829 шт
Цена от:
от 65,52
IRFZ44ZLPBF IRFZ44ZLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 51A TO-262
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
51A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
13.9 мОм @ 31А, 10В
Мощность макс.:
80Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
43нКл @ 10В
Входная емкость:
1420пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRFZ44ZSPBF IRFZ44ZSPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 51A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
51A
Сопротивление открытого канала:
13.9 мОм
Мощность макс.:
80Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
43нКл
Входная емкость:
1420пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 080 шт
Цена от:
от 86,03
IRFZ46NLPBF IRFZ46NLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 53A TO-262
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
53A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
16.5 мОм @ 28А, 10В
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
72нКл @ 10В
Входная емкость:
1696пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
IRFZ46ZSTRLPBF IRFZ46ZSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 51A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
51A
Сопротивление открытого канала:
13.6 мОм
Мощность макс.:
82Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
46нКл
Входная емкость:
1460пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRFZ48NSPBF IRFZ48NSPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 64А 130Вт, 0.014 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
64A
Сопротивление открытого канала:
14 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
81нКл
Входная емкость:
1970пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 300 шт
Цена от:
от 92,51
Акция
IRL2505SPBF IRL2505SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 104A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
104A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
130нКл
Входная емкость:
5000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
167 шт
Цена от:
от 317,59
IRL3705ZLPBF IRL3705ZLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A TO-262
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
8 мОм @ 52А, 10В
Мощность макс.:
130Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В @ 250 µA
Заряд затвора:
60нКл @ 5В
Входная емкость:
2880пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
IRL3705ZPBF IRL3705ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
130Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
2880пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRL3705ZSTRLPBF IRL3705ZSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
8 мОм @ 52А, 10В
Мощность макс.:
130Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В @ 250 µA
Заряд затвора:
60нКл @ 5В
Входная емкость:
2880пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRLL014NPBF IRLL014NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 2.0А 2.1Вт, 0.14 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
2A
Сопротивление открытого канала:
140 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
230пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
18 127 шт
Цена от:
от 13,24
Акция
IRLL024NPBF IRLL024NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 3.1А 2.1Вт, 0.065 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
3.1A
Сопротивление открытого канала:
65 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15.6нКл
Входная емкость:
510пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
8 792 шт
Цена от:
от 24,49
Акция
IRLL024ZPBF IRLL024ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 5А 2.8Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
380пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 728 шт
Цена от:
от 33,27
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.59762 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"