Одиночные MOSFET транзисторы

330
Напряжение сток-исток макс.: 40В
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (330)
IRF40DM229 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 159A ISOMETRICMF
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
159А
Тип транзистора:
N-канальный
-6% Акция
IRF4104PBF IRF4104PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 75А 140Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
5.5 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
100нКл
Входная емкость:
3000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 23A DIRECTFET
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DIRECTFET[тм] MT
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
23A(Ta),150A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
3.4 мОм @ 23А, 10В
Мощность макс.:
2.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.25В @ 250 µA
Заряд затвора:
63нКл @ 4.5В
Входная емкость:
5950пФ @ 15В
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF6614TRPBF IRF6614TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 12.7A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DIRECTFET[тм] ST
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
12.7A
Сопротивление открытого канала:
8.3 мОм
Мощность макс.:
2.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.25В
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
2560пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRF7240PBF IRF7240PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 10.5А 2.5Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
10.5A
Сопротивление открытого канала:
15 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
9250пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
32 634 шт
Цена от:
от 21,77
IRF7240TRPBF IRF7240TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 10.5A
Производитель:
VBsemi Semiconductor (Taiwan) Co., Ltd.
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
10.5А
Тип транзистора:
P-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
5 538 шт
Цена от:
от 47,59
IRF7241PBF IRF7241PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 6.2A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
6.2A
Сопротивление открытого канала:
41 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
80нКл
Входная емкость:
3220пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
2 823 шт
Цена от:
от 45,55
Акция
IRF7468PBF IRF7468PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 9.4А 2.5Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOIC8
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
9.4A
Сопротивление открытого канала:
15.5 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
2460пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
264 шт
Цена от:
от 201,79
Акция
IRF7469PBF IRF7469PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 9А 2.5Вт, 0.012 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOIC8
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
17 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
23нКл
Входная емкость:
2000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
4 502 шт
Цена от:
от 42,08
IRF7470PBF IRF7470PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 10А 2.5Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
13 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
44нКл
Входная емкость:
3430пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
8 984 шт
Цена от:
от 101,28
IRF7480MTRPBF IRF7480MTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 217A 10-Pin Direct-FET ME лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DirectFET[тм] Isometric ME
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
217A
Сопротивление открытого канала:
1.2 мОм
Мощность макс.:
96Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
185нКл
Входная емкость:
6680пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRF7842PBF IRF7842PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 18А 2.5Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
5 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.25В
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
4500пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
10 943 шт
Цена от:
от 47,39
IRFB7440GPBF IRFB7440GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120A TO220AB
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
120A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
2.5 мОм @ 100А, 10В
Мощность макс.:
208Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В @ 100 µA
Заряд затвора:
135нКл @ 10В
Входная емкость:
4730пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
IRFH7446TRPBF IRFH7446TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 85A PQFN 5X6
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
8-PQFN (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
85A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
3.3 мОм @ 50А, 10В
Мощность макс.:
78Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В @ 100 µA
Заряд затвора:
98нКл @ 10В
Входная емкость:
3174пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFI7440GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
''
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Тип транзистора:
N-канальный
IRFI7446GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
''
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Тип транзистора:
N-канальный
IRFR3504ZTRPBF IRFR3504ZTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 42A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
42A
Сопротивление открытого канала:
9 мОм
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
1510пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFR4104PBF IRFR4104PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 42A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
42A
Сопротивление открытого канала:
5.5 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
89нКл
Входная емкость:
2950пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFR4104TRLPBF IRFR4104TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 42A DPAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
42A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
5.5 мОм @ 42А, 10В
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
89нКл @ 10В
Входная емкость:
2950пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFR4104TRPBF IRFR4104TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 42A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
42A
Сопротивление открытого канала:
5.5 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
89нКл
Входная емкость:
2950пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.59762 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"