Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (303)
NTD5802NT4G Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 16.4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 16.4A Сопротивление открытого канала: 4.4 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 100нКл Входная емкость: 5025пФ Тип монтажа: Surface Mount
NVMFS5C426NWFAFT1G Полевой транзистор N-канальный 40В 41A автомобильного применения 5-Pin(4+Tab) SO-FL лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 41A Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive
NVMFS5C442NLAFT3G Полевой транзистор N-канальный 40В 29A 130A 5DFN Производитель: ON Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 29A Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive
P2804BDG Транзистор полевой N-канальный 40В 10А 42мОм 32Вт Производитель: Noname Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 10А Мощность макс.: 32Вт Тип транзистора: N-канал
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
156 шт
Цена от:
от 46,04
P4404EDG Транзистор полевой P-канальный 40В 10А 30Вт Производитель: NIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD. Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 0,416666666666667 Мощность макс.: 30 Вт Тип транзистора: P-канал
P5504EDG Транзистор полевой P-канальный 40В 21А 41Вт Производитель: NIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD. Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 21A Мощность макс.: 41 Вт Тип транзистора: P-канал
PMV250EPEAR Транзистор полевой P-канальный 40В 1.5A Aвтомобильного применения 3-Pin TO-236AB лента на катушке Производитель: NEXPERIA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 1.5A Сопротивление открытого канала: 240 мОм Мощность макс.: 480мВт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 6нКл Входная емкость: 450пФ Тип монтажа: Surface Mount
PSMN014-40YS,115 Полевой транзистор N-канальный 40В 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 46A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 56Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 702пФ Тип монтажа: Surface Mount
PSMN4R5-40PS,127 Транзистор полевой N-канальный 40В 100A Производитель: NEXPERIA Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 4.6 мОм Мощность макс.: 148Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 42.3нКл Входная емкость: 2683пФ Тип монтажа: Through Hole
PSMN8R0-40PS,127 Транзистор полевой N-канальный 40В 77A Производитель: NEXPERIA Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 77A Сопротивление открытого канала: 7.6 мОм Мощность макс.: 86Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 21нКл Входная емкость: 1262пФ Тип монтажа: Through Hole
SI2318CDS-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 40В 5.6А 1.25Вт Производитель: Vishay Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 5.6A Сопротивление открытого канала: 42 мОм Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 9нКл Входная емкость: 340пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI2318DS-T1-E3 Транзистор полевой N-канальный 40В 3A 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 45 мОм Мощность макс.: 750мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 540пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI2319CDS-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 40В 4.4А 2.5Вт Производитель: Vishay Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 4.4A Сопротивление открытого канала: 77 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 21нКл Входная емкость: 595пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI2319DS-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 40В 2.3A 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 2.3A Сопротивление открытого канала: 82 мОм Мощность макс.: 750мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 470пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI4122DY-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 27.2 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 27.2A Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм Мощность макс.: 6Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 95нКл Входная емкость: 4200пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI4124DY-T1-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 20.5 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 20.5A Сопротивление открытого канала: 7.5 мОм Мощность макс.: 5.7Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 77нКл Входная емкость: 3540пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI4124DY-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 20.5 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 20.5A Сопротивление открытого канала: 7.5 мОм Мощность макс.: 5.7Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 77нКл Входная емкость: 3540пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI4154DY-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 40В 36A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 36A Сопротивление открытого канала: 3.3 мОм Мощность макс.: 7.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 105нКл Входная емкость: 4230пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI4401BDY-T1-E3 Полевой транзистор, P-канальный, 40 В, 8.7 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 8.7A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 55нКл Тип монтажа: Surface Mount
SI4401BDY-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 40 В, 8.7 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 8.7A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 55нКл Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"